[发明专利]差步式晶闸管逆变器的串调装置无效
| 申请号: | 90108802.1 | 申请日: | 1990-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN1061121A | 公开(公告)日: | 1992-05-13 |
| 发明(设计)人: | 郑耀华;冯浩;陈国定 | 申请(专利权)人: | 浙江工学院 |
| 主分类号: | H02P7/62 | 分类号: | H02P7/62 |
| 代理公司: | 浙江省专利事务所 | 代理人: | 袁木棋 |
| 地址: | 31001*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 差步式 晶闸管 逆变器 装置 | ||
本发明属于串调装置,尤其是差步式晶闸管逆变器的串调装置,适用于交流电机调速的场合。
在本发明作出之前,传统的HC系列串调装置由交流电机、整流桥、平波电抗器、逆变器及逆变变压器所组成,也有不用逆变变压器而采用进线电抗器的串调装置,由于逆变器采用滞后相控,因此功率因数很低,一般在0.2~0.5;近年来也出现采用三次谐波换流及串二极管隔离的LC强迫换流的超前相控结构的逆变器,该类串调装置的功率因数得以提高,但由于控制复杂,致使结构复杂,而且容易产生较大的电压电流冲击,调速范围也不宽。
本发明的任务是克服现有技术的缺点,提供一种结构简单、电压和电流冲击小、功率因数大,调速范围宽的差步式晶闸管逆变器的串调装置。
下面结合附图对本发明加以说明。
图1为差步式晶闸管逆变器的串调装置结构示意图。
图2为该串调装置的电路原理图。
图3为该串调装置的电路原理图。
图4为逆变器4的相量圆图。
如图1所示,本发明的串调装置有5个基本组成部分,分别说明如下:
交流电机1为线绕式三相异步电动机,整流桥2为三相整流桥,如图2、3所示,它由6个硅二极管Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6所构成,平波电抗器3为带铁心电抗器,逆变器4采用差步式晶闸管逆变器,为三相桥式结构,如图2、3所示,它由两个半桥组成,其中半桥共阴极组(或共阳极组)由KP1、KP3、KP5三个可控硅(普通可控硅或快速可控硅均可)、D1、D3、D5三个反馈硅二极管、D1′、D3′、D5′三个隔离二极管、三个强迫换流电抗器L′和三个强迫换流电容C′所组成的串联二极管隔离带反馈二极管超前相控的LC强迫换流结构,另半桥共阳极组(或共阴极组)由KP2、KP4、KP6三个可控硅(普通可控硅或快速可控硅均可)所组成的滞后相控的普通自然换流结构,进线电抗器5由套于进线铜排外的铁氧体磁芯套环所组成。
如图2、图3所示,其中:
1C为交流电机1定子电源接触器触点。
2C为逆变侧直流供电接触器触点。
3C为逆变器4电源接触器触点。
4C为交流电机1转子全速运行短路接触器触点。
LP为平波电抗器(3)。
LT为电源进线电抗器5。
Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6为硅二极管。
KP1、KP2、KP3、KP4、KP5、KP6为可控硅(普通可控硅或快速可控硅均可)。
D1、D3、D5为反馈硅二极管。
D1′、D3′、D5′为隔离硅二极管。
L′为强迫换流电抗器。C′为强迫换流电容。
M为交流电机1。
如图4所示,其中横标为实轴Re,纵标为虚轴Im,U2为滞后相控半桥输出电压相量,β2为滞后相控半桥的逆变角,U1为超前相控半桥输出电压相量,β1为超前相控半桥的逆变角。
本发明的串调装置工作原理为:
交流电机1转子电路三线引出后,按常规进入三相整流桥2桥式整流电路,将交流电机1转子上交流的转差电流变为直流,经直流平波电抗器3逆到逆变器4,逆变器4采用差步式晶闸管逆变器,通过该逆变器4变换为50赫兹与电网同步的交流电流,馈送到供电源上,达到调速、节能的目的。进线电抗器5是为减少电网波形畸变而设置的。
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