[发明专利]一种用于双端口存贮装置模式转换的方法

说明书

本发明涉及一种用于既包含有随机存取存贮（RAM）端口又包含有串行存取存贮（SAM）端口的双端口存贮装置的模式转换方法，特别涉及一种用于在包含有RAM端口和SAM端口的视频随机存取存贮器（VRAM）中进行数据传输和用于随机及串行存取测试的模式转换。

早先用于图象显示的VRAM具有64K×1的RAM端口和256K×1的SAM端口。之后，又开发了包含有64K×4存取端口的256KVRAM。从这时起，通过改进64K×1VRAM的功能，把写入每毕特（Write-per-bit）和实时数据传输功能加到VRAM上，从而形成了一种VRAM的标准型式。以目前1M毕特的集成度来看，VRAM有256K×4和128K×8两种类型。另一方面，在常规的VRAM中，当数据从处理器传至外围设备时，该数据首先要传输给存贮器，然后在存贮器中对该数据进行存取。在这种情况下，由于存取是由外围设备执行的，所以处理器就不能将该数据传输给存贮器。但是在本VRAM中，当处理器通过第一端口将数据传输给存贮器时，该存贮器同时能通过第二端口进行存取。

这种关系将参考附图1加以描述。

图1示出了一个含有RAM端口1和SAM端口2的VRAM10。RAM端口1通过数据传输选通DTG连接到SAM端口2。当连接到屏幕显示装置的 1第二端口P2被用于串行存取时，连接到处理器的VRAM10的第一端口P1则用于随机存取。另外，RAM端口1的一端通过列解码器4连接到第一端口P1，RAM端口1的另一端连接到行解码器（图1中未示出），标号5表示控制部分。由于用于串行存取的SAM端口2具有一高速存取时间，因而VRAM10被广泛用于高分辨率或高速显示系统中。

在VRAM10中，在读传输周期内，RAM端口1中的数据被写到SAM端口2，并在SAM端口2中设置数据读出模式。类似的，在写传输周期内，SAM端口2中的数据被写到RAM端口1，并通过写传输周期和伪写入模式PWT设置写入数据模式。在SAM端口2中，从写数据模式被转换到读数模式的周期内，读传输周期必须被旁路并将RAM端口1中的数据提供给SAM端口2，这样，当从SAM端口2写入数据之后，SAM端口2就不能直接执行读操作。因此，在大批量生产VRAM的情况下，由于SAM端口是依赖RAM端口而执行读和写操作的，因而SAM端口本身的测试也是不可能的。

本发明的目的是要提供一种用于双端口存贮装置的模式转换的方法。利用这种方法，使得在VRAM测试的情况下，SAM端口能够不依赖RAM端口而独立地执行读和写操作。

本发明的目的可以通过在测试SAM的情况下，将串行写入模式SW转换为串行读出模式SR时执行一个伪读入传输模式PRT，从而禁止将该数据传输给RAM端口来实现。

根据本发明，提供了一种用于包括RAM端口和SAM端口的双端口存贮装置的模式转换的方法，该方法包括：执行一个读出传输周期，在该周期中，RAM端口的数据以读出传输模式或实时读出传输模式传输给SAM端口，且SAM端口中的数据以串行读出模式进行传输;执行一个写传输周期，在该周期中，一个外部设备的数据被该外部设备以串行写入模式直接存贮到SAM端口，并且SAM端口中的数据以写入传输模式传输给RAM端口;执行一个伪写入传输模式，该模式在读出传输周期和写入传输周期之间不进行数据传输而转换成串行写入模式;和执行一个伪读出传输模式，该模式在读出传输周期和写入传输周期之间不进行数据传输而输换成串行读出模式。

本发明的这些和其它的目的、特性以及优点将通过下面参照附图所述的最佳实施例而变得更加明显。

图1示出了常规的VRAM结构的方框图;

图2示出了该VRAM内SAM端口各工作模式的时序图;

图3示出了在常规的双端口存贮装置中SAM工作情况的模式转换流程图;

图4示出了根据本发明的表明SAM工作状态的模式转换流程图。

下面，结合附图对本发明进行更为详细的描述。