[实用新型]一种离子敏场效应器件保护装置无效
| 申请号： | 89220420.6 | 申请日： | 1989-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN2073168U | 公开（公告）日： | 1991-03-13 |
| 发明（设计）人： | 洪重光;张学鹏;李志强;赵兴;黄晓兰 | 申请（专利权）人： | 北京哈尼传感技术联合开发公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;G01N27/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 场效应 器件 保护装置 | ||
【权利要求书】：
1、一种离子敏场效应器件的保护装置，其特征是：由保护电极与一组互为反向的二极管构成，保护装置的一端通过保护电极与试液相通，一端与离子敏场效应器件的源极、漏极或基极相连。
2、按照权利要求1所述的离子敏场效应器件的保护装置，其特征为：保护电极与一组互为反向的二极管，即可由分立元件组装而成，又可以采用集成电路工艺技术与离子敏场效应器件制造同在一芯片上。
3、按照权利要求1所述的离子敏场效应器件的保护装置，其特征为：保护电极的形状不限而保护电极的材质应从铂、金、不锈钢或其它对试液不污染、无腐蚀、化学性能稳定的金属、合金或其它导电材料中选取。
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