[发明专利]高反差高温栅的制造工艺与应用技术无效
| 申请号: | 89109318.4 | 申请日: | 1989-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN1018771B | 公开(公告)日: | 1992-10-21 |
| 发明(设计)人: | 张志强;金宁;马喜腾;曹起骧 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16;G01L1/24 |
| 代理公司: | 清华大学专利事务所 | 代理人: | 章瑞溥 |
| 地址: | 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反差 高温 制造 工艺 应用技术 | ||
本发明属于密栅版的制造工艺及密栅云纹法应变、应力测量技术。
密栅云纹法测量材料在常温或较高温受力时位移场和应变场的分布及局部区域的应力状况和应力集中现象等已得到了广泛的应用。但在高温下用云纹法来测量材料受力时的应力、应变状况则由于普通栅版的耐热性差或在高温下易氧化而受到了一定的限制。
目前国内外对高温应变测量的栅版制造工艺进行了研究,主要集中在栅线的制造工艺及栅线金属的选择上。如美国用光刻胶光刻法制造胶栅,并用真空镀膜法在不锈钢上制成金栅。在钛上制成铝栅(“Moire Gratings for High Temperature and long Times”《Experimental Mechanics》October 1979),日本用光刻胶光刻法制成胶栅并用电镀法镀金属栅线。(“Thermestable Moire Grids and Its Evaluations”《The Technology Reports of The Tohoku University》Vol.36<1971>)。比利时也有用光刻胶和腐蚀法制栅的。(Mea-surement of Transient thermal Plastic Strains”《Strain》October,1968。
上述方法制成的栅虽可比普通栅版承受较高的温度,但却存在下列问题:
1.承受温度都在860℃以下。
2.栅线与基体的反差小,不利于观察云纹图及用照相法拍摄记录云纹图象。
此外在对材料进行常温内部应变测量时,一般采用将试件剖开,在其剖面上贴上常温栅版,将试件合成一体进行受力试验,试验后再分开试件观察栅版的云纹图象。但在高温进行上述试验时,栅版表面会被氧化,且接触面间的栅线往往会相互焊合,从而使高温时材料内部的应变测量不能实现。
本发明的目的是研制一种高反差高温栅的制造工艺及材料高温应变测量技术。
本发明的构成是用光刻胶光刻制成胶栅后,用电刷镀法镀上栅线金属,并在力学试验后对栅线进行表面着色处理,以增加其反差。为防止用剖开法测量高温材料内部的应变时栅线间的相互焊合及表面氧化,在栅线表面涂以防护涂料。
本发明具体内容如下:
在磨光(抛光)的试件表面上涂上光刻胶,然后将母版覆盖在已涂上光刻胶的试件表面进行曝光(母版可用普通的栅版),再经过显影,清洗,坚膜等过程即制成胶栅。然后在已制成胶栅的试件表面上用电刷镀法镀上栅线金属,这样就在试件表面上制成了金属栅线。制成栅线的试件即可按常规的试验方法进行力学试验,试件表面即呈现云纹图。
当要进行试件内部高温应变测量时,则可将试件剖成两半,将其剖分面进行抛光,按上述方法在其表面制成金属栅线,再在剖分面上涂以防护涂料,以防止高温时两侧栅线的相互焊合及氧化。然后将两个剖分部分重新合一,在其周边用熔焊法将其焊合,使之成为一个整体,再进行高温力学试验,试验后在焊合处剖开试件即可观察表面的云纹图。
当要对试件表面进行高温应变测量时,为防止试件在高温时的氧化,可采用真空炉或惰性气体保护炉加热。
为增加云纹图的反差,以利于观察及拍摄云纹图,对经过力学试验后的栅线进行表面着色处理。
本发明的实施例如下:
1.以标准高温拉伸试件为例,将试件测量面的表面磨光(抛光),当制做5线/mm的栅时,光洁度应在7左右。对试件表面除油,用肉桂酸脂系的光刻胶(可用市售103-B负胶)加在试件表面,将试件在匀胶台上旋转5~60秒(转速为500~1500转/分),然后放置5~10分钟,再进入70℃~90℃的烘炉,烘烤15~20分钟,取出试件,冷却至室温,将所需密度的母版(可为普通栅版)覆盖到涂 上光刻胶的试件表面上,用80W汞灯爆光20″~30″(灯距20cm)将曝光后的试件表面用丁酮显影一分钟,再用丙酮清洗一分钟,显影和清洗时要摇动试件,并用气流吹干。将显影、清洗后的试件送入160℃~180℃的烘箱40~60分钟,进行坚膜,即制成光刻胶栅。
在已制成光刻胶栅的试件表面用电刷镀法镀上栅线金属,20#钢的栅线金属可用镍。
电刷镀工艺:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/89109318.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有圆形部位的物件的定位固定装置
- 下一篇:抗强噪声水层深度遥测装置





