[发明专利]硅器件芯片背面银系溅射金属化

权利要求书

1、一种包括硅器件芯片背面研磨、硅器件芯片清洁处理、硅器件芯片背面溅射金属的硅器件芯片背面金属化方法，其特征在于工艺过程还包括：

(1)将以下任何一组金属分层依次溅射到硅器件芯片的背面：

①第一组金属为钛、镍、银，溅射的层次是第一层为钛，第二层为镍，第三层为银，

②第二组金属为铬、银铜合金，溅射的层次是第一层为铬，第二层为银铜合金，

③第三组金属为铬、镍、银，溅射的层次是第一层为铬，第二层为镍，第三层为银；

(2)将溅射后的硅器件芯片进行用以消除溅射所造成表面损伤，增加各金属层之间的渗透及表面层的锡浸润性能的快速热退火处理，热退火采用氮气保护，退火的温度为400-500℃，退火的时间为10秒-20秒。

2、根据权利要求1所述硅器件芯片背面金属化方法，其特征在于热退火最佳温度为445℃-455℃。

3、根据权利要求1所述硅器件芯片背面金属化方法，其特征在于溅射前硅器件芯片预热温度为70-100℃。

4、根据权利要求1、2或3所述硅器件芯片背面金属化方法，其特征在于溅射钛、镍、银的厚度分别为：

钛：600埃-1000埃

镍：1500埃-5000埃

银：5000埃-15000埃

5、根据权利要求1、2或3所述硅器件芯片背面金属化方法，其特征在于溅射铬、银铜合金时，银铜合金中银的比例大于94%，铜的比例小于6%，铬及银铜合金的溅射厚度分别为：

铬：800埃-1500埃

银铜合金：5000埃-15000埃

6、根据权利要求1、2或3所述硅器件芯片背面金属化方法，其特征在于溅射铬、镍、银的厚度分别为：

铬：600埃-800埃

镍：1500埃-5000埃

银：5000埃-15000埃

7、根据权利要求1所述硅器件芯片背面金属化方法，其特征在于对热退火后的硅器件芯片采用铅铟银合金焊料进行氢气烧结，铅铟银合金焊料的比例为92.5∶5∶2.5。