[发明专利]控制了热膨胀的介电组合物

权利要求书

1、适用于浇铸或层压在陶瓷基底上的介电组合物，它包括a)大约20-65%(重量)的耐高温填料，b)大约10-30%(重量)的有机粘合剂的c)大约25-65%(重量)的混合物，所述混合物由i)至少一种其热膨胀系数小于所说基底的热膨胀系数的玻璃和ii)至少一种其热膨胀系数大于所说基底的热膨胀系数的玻璃构成。

2、权利要求1所述的组合物，其中所述基底选自氧化铝，氮化铝，氧化铍和碳化硅。

3、权利要求2所述的组合物，其中所述基底含有96%（重量）的氧化铝。

4、权利要求3所述的组合物，其中所述基底的热膨胀系数在温度约25-900℃时为7.5×10^-6/℃-7.9×10^-6/℃。

5、权利要求1所述的组合物，其中所述玻璃ⅰ）与所述玻璃ⅱ）的重量比为大约10∶90-大约90∶10。

6、权利要求1所述的组合物，其中所述玻璃ⅰ）与所述玻璃ⅱ）的重量比为大约25∶75-大约75∶25。

7、权利要求1所述的组合物，其中所述玻璃是硼硅酸盐玻璃。

8、权利要求3所述的组合物，其中所述玻璃ⅰ）的热膨胀系数在约25-250℃温度范围时，约为6.77×10^-6/℃，所述玻璃ⅱ）的热膨胀系数在约25-250℃温度范围时约为8.0×10^-6/℃。

9、权利要求3所述的组合物，其中所述玻璃ⅰ）含有大约22.8%的SiO₂，29.5%B₂O₃，1.5%Co₂O₃，38.3%BaO和7.9%的ZnO（均以重量计）

10、权利要求3所述的组合物，其中所述玻璃ⅰ）含有100份的Si，73.9份的Ca，62.8份的Zn，17.4份的Al，10.1份的Ti，7.3份的K，14.0份的Zr，6.6份的Pb，6.0份的Mn，3.7份的Sn，3.1份的P和2.4份的Rb（均以重量计）。

11、权利要求3所述的组合物，其中所述玻璃ⅱ）含有52.3%的SiO₂，15.4%的B₂O₃，4.1%的Al₂O₃，4.3%的Na₂O，5.4%的CaO，17.3%的SrO和1.2%的ZrO₂（均以重量计）。

12、权利要求3所述的组合物，其中所述玻璃ⅱ）含有15.0%的SiO₂，26.7%的B₂O₃，3.0%的Al₂O₃，50.2%的BaO，2.1%的BiO₃和3.0%的TiO₂（均以重量计）。

13、一种制造电路板的方法，其特征在于，将一层权利要求1的且合物涂在刚性的陶瓷基底上并在约800℃-1000℃下进行烧制。

14、一种涂有权利要求1的组合物的陶瓷基底。

15、权利要求1的组合物，其中所述组合物是粘度约为100，000-400，000厘泊的膏体。

16、权利要求15的组合物，其中所述组合物用有机溶剂稀释成可流动的分散体。

17、权利要求1所述的组合物，其中所述组合物是固体薄膜。

18、权利要求17所述的组合物，其中所述组合物涂于聚合物薄膜上。

19、权利要求18所述的组合物，其中所述聚合物薄膜是聚酯。

20、权利要求17的组合物，它含有大约39.3%（重量）上述玻璃混合物，大约45.2%上述的耐高温填料和大约15.5%上述有机粘合剂。