[其他]多层超导电路衬底及其制备方法无效
| 申请号: | 88102545 | 申请日: | 1988-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN88102545A | 公开(公告)日: | 1988-11-23 |
| 发明(设计)人: | 今中佳彦;町敬人;山中一典;横山博三;龟原伸男;丹羽纮一 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
| 主分类号: | H05K3/40 | 分类号: | H05K3/40;H05K3/46;H05K1/03;H01L39/12;H01B12/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 赵蓉民 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多层 超导 电路 衬底 及其 制备 方法 | ||
1、多层衬底,它包括:
层压在多层衬底上的,具有通孔的多重绝缘层;
在两绝缘层之间的超导陶瓷材料的内连接层;和
填满在上述绝缘层孔中的超导陶瓷材料通孔,此孔把上述内连接层电学上联接在一起。
2、权利要求1中的多层衬底,其中的超导陶瓷材料是一种氧化陶瓷材料,一般分子式为XaY1-aZOb或(X1-aYa)2ZOb,这里O<a<1;3 b<4;X至少是Ba,Ca,Sr和Mg中的一个元素,Y至少是Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb和Lu中的一个元素。Z至少是Cu,Ag,Au中的一个元素。
3、权利要求1中的多层衬底,其中的陶瓷超导体是{(MⅡO)x(MⅢ2O3)1x}y(CuO)2(O)δ,这里M代表Ba,Sr,Ca和Mg中的至少一个元素;MⅡ代表Y,Sc,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,和Lu中的至少一个元素;0.5 X 0.9;1 Y 2;1 Z 2;δ代表氧含量与标准氧化学当量的偏离量;氧化物超导材料在氮沸点温度以上呈现出超导电性。
4、权利要求1中的多层衬底,其中陶瓷超导体为YBa2Cu3O7。
5、权利要求1中的多层衬底,其中陶瓷超导体是超导氧化物Bi-Sr-Ca-Cu-O和TI-Bi-Si-Ca-Cu-O系列中的一个。
6、权利要求1中的多层衬底,它还包括包封陶瓷超导体内连接层的金属层,金属层的金属可选用金、银、铂或其合金。
7、多层衬底,包括:
层压在多层衬底上的,具有通孔的玻璃陶瓷材料的多重绝缘层;
在上述两绝缘层之间的超导陶瓷材料的内连接层;
填满在上述绝缘层孔中的超导陶瓷材料通孔,此孔把上述内连接层电学上联接在一起;
包封上述内连接层和上述通孔的金属层把内连接层和通孔中的超导陶瓷材料与绝缘层隔离开,金属层中的金属可选用金、银、铂或其合金。
8、权利要求7中的多层衬底,其中玻璃陶瓷材料包含20%到50%重量百分比的氧化铝,10%到60%重量百分比的石英玻璃,20%到40%重量百分比的玻璃或结晶化玻璃,该玻璃陶瓷材料在低于1000℃的温度下即可烧成。
9、权利要求7中的多层衬底,其中超导陶瓷材料是氧化陶瓷材料,分子式为XaY1-aZOb或(X1-aYa)2ZOb,这里0<a<1;3 b 4;X至少是Ba,Ca,Sr和Mg中的一个元素;Y至少是Sc,Y,La,Ce,Pr,Ud,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb和Lu中的一个元素;Z至少是Cu,Ag和Au中的一个元素。
10、权利要求7中的多层衬底,其中用于包封的金属层厚为5至10μm。
11、权利要求7中的多层衬底,其中内连接层厚度为20μm。
12、权利要求11中的多层衬底,其中内连接层厚度为20到40μm。
13、权利要求7中的多层衬底,其中金属层还包括钛(Ti)或硅(Si)接合剂。
14、多层衬底制备方法,包括如下步骤:
准备绝缘材料素坯;
在每一素坯上成形超导陶瓷材料模块;
制作穿过素坯的超导陶瓷材料通孔;
具有内连接模块和通孔的素坯层叠在一起并压制成形;和
烧结层压制件,这样含有绝缘材料层,超导陶瓷材料内接层和超导陶瓷材料通孔的多层衬底就制得了。
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