[其他]具有多层超导结构的电路及其制造方法

权利要求书

1、一种电路包括：一个衬底，在所述衬底上制备的超导陶瓷氧化物图形和与所述超导图形相接触的非氧化膜。

2、权利要求1的电路，其中非氧化膜由耐热绝缘材料制成。

3、权利要求2的电路，其中所述材料为氮化物。

4、权利要求2的电路，其中所述材料是氮化硅、氮化铝或氮化钛。

5、权利要求2的电路，其中所述材料为碳化物。

6、权利要求2的电路，其中所述材料为碳化硅或碳化钛。

7、权利要求1的电路进一步包括一层氧化绝缘膜，在这层绝缘膜与所述超导图形之间有一层非氧化膜，以防止氧化绝缘膜与超导图形相接触。

8、权利要求8的电路，其中所述衬底为半导体衬底，在衬底中至少形成一个半导体器件。

9、权利要求9的电路，其中所述图形为超导连线。

10、权利要求1的电路，其中所述非氧化膜位于所述衬底与所述超导图形之间。

11、权利要求1的电路，其中所述非氧化膜由以碳为主要成份的材料组成。

12、权利要求12的电路，其中所述碳为类金刚石结构碳。

13、权利要求12的电路，其中所述碳为金刚石。

14、权利要求12的电路，其中所述的碳含有氢。

15、权利要求12的电路，其中所述的碳含有不高于25原子%的卤素。

16、权利要求12的电路，其中所述的碳含有不高于5原子%的氮。

17、权利要求12的电路，其中所述的碳含有不高于5原子%的三价或五价杂质。

18、权利要求1的电路，其中所述的图形由按照化学式（A_1-xB_x）_yCu_zO_w所确定的超导陶瓷制成的，其中，A为从周期表Ⅲa族中选出的一种或多种元素，B为从周期表Ⅱa族中选出的一种或多种元素，X＝0～1;Y＝2.0～4.0;Z＝1.0～4.0;W＝4.0～10.0。

19、权利要求21的电路，其中所述的陶瓷定义为YBa₂Cu₃O_6-8。

20、权利要求1的电路，其中所述的图形由按照化学式（A_1-xB_x）_yCu_zO_w所确定的超导陶瓷制成，其中，A为从周期表Ⅴb族中选出的一种或多种元素，例如Bi、Sb和AS，B为从周期表Ⅱa族中选出的一种或多种元素，X＝0.3～1;Y＝2.0～4;Z＝1.0～4.0;W＝4.0～10.0。

21、一种电路包括：一个衬底，在所述的衬底上制备的超导陶瓷氧化物图形，形成与所述的超导图形相接触的非氧化膜，其特征在于：所述的绝缘膜由非氧化材料组成。

22、权利要求21的电路，其中所述的陶瓷定义为BiSrCaCuCu₂Ox，Bi₄Sr₃Ca₃Cu₄Ox，Bi₄Sr_yCa₃Cu₄Ox（Y约为1.5）Bi₄Sr₄Ca₂Cu₄Ox或Bi₂Sr₃Ca₂Cu₂Ox。

23、权利要求1的电路，其中所述的衬底为陶瓷衬底。

24、权利要求25的电路，其中所述的超导图形直接在衬底上形成。

25、权利要求26的电路，其中所述的碳膜覆盖住所述的超导图形。