[其他]多栅极薄膜晶体管

权利要求书

1、一种薄膜晶体管，其特征在于包括：

-一电荷迁移层，

-一个同所述电荷迁移层邻接的电子注入电极，

-一个同所述电荷迁移层邻接的空穴注入电极，

-所述电子注入极和空穴注入极的相对的侧面彼此横向相隔一个第一距离，所述第一距离限定了所述电荷迁移层的沟道区，

-一个电介质层，其一侧同所述电荷迁移层的对边邻接并基本上同所述电荷迁移层的整个横向范围共同延伸，以及

-第一和第二控制极的每一个均同所述两注入极之一成相对关系设置，以使所述各控制极的各相对侧面彼此横向地基本上相隔所述第一间距，所述控制极与所述电荷迁移层被一介质层所隔开，所述控制极和所述注入极的各相对表面被隔开一个显著小于所述第一间距的第二间距，从而可有选择地将电子和空穴注入所述电荷迁移层并使其各沿着彼此相反的方向穿过所述沟道区。

2、如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于所述注入极被相反地掺杂，以便让它们每一个按其掺杂要求去注入电子或空穴。

3、如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于所述电荷迁移层被掺杂，所述注入极之一被相反掺杂和所述另一注入极包括一个同所述电荷迁移层邻接的导电接头。

4、如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于所述电荷迁移层被掺杂成p⁺型，所述注入极之一被掺杂成n⁺型而所述另一注入极包括一个金属接头。

5、如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于所述第一间距比所述第二间距约大100倍。

6、如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于还包括：面对所述沟道区并与所述电荷迁移层相隔一个介质层的第三控制极，所述第三控制极通过使电子和空穴沿所述沟道区的独立的横向路径移动的方式而对注入的电子和空穴的横向迁移起作用。

7、如权利要求1的薄膜晶体管，其特征在于所述电荷迁移层包括一非晶硅层。

8、一种固态电子器件，其特征在于包括一块衬底上支承有：

-包含一薄膜层的用于传送载流子的装置，

-用于提供一种符号的载流子以便注入所述传送装置的第一装置，

-用于提供相反符号载流子以便注入所述传送装置的第二装置，

-用于提供载流子的所述第一和第二装置被设置在同所述传送装置的第一表面呈物理和电接触并彼此隔开一个第一横向间距，该间距限定了所述传送装置中的某个沟道区的长度，

-与所述传送装置的相对表面邻接的介质层，

-用于控制从所述用于提供载流子的第一装置注入载流子速率的第一控制装置，该控制装置与所述传送装置被所述介质层所隔开并与所述第一提供装置以相对关系定位，以及为一个包括所述薄膜迁移层和所述介质层厚度之和的标准间距所隔开，

-用于控制来自所述载流子第二供应装置的载流子注入速率的第二控制装置，该控制装置与所述传送装置相隔所述介质层并以面对所述第二供应装置的关系被定位，并从那里隔开一个所述标准间距，以及

-所述第一控制装置和所述第二控制装置彼此相隔一个近似等于所述沟道区长度的第二横向间距。

9、如权利要求8所定义的固态电子器件，其特征在于：所述第一和第二供给（载流子）装置是相反掺杂的，以使各自根据其掺杂情况而注入电子空穴。

10、如权利要求8所定义的固态电子器件，其特征在于：进一步包括用于控制载流子通过所述传送装置迁移的装置，该控制装置同远离所述传送装置的所述介质层表面邻接，以便通过使电子和空穴沿所述沟道区的独立横向路径移动的方式对被注入的电子和空穴的横向迁移起作用。

11、一种薄膜晶体管，其特征在于包括：

-一个电子注入电极和一个空穴注入极，它们的相对的侧面彼此横向地相隔一个第一间距，

-一个电荷迁移层，其一侧同所述注入极邻接，并有一个跨距为所述第一间距的沟道区

-一个电介质层，其一侧同所述电荷迁移层的对立侧邻接并基本上同所述电荷迁移层的整个横向范围共同延伸，以及

-同所述介质层的相对侧面邻接的第一和第二控制电极，所述第一和第二控制电极的每一个同所述注入极之一呈层叠关系，所述控制极的相对的侧面彼此横向相距近似所述第一间距，所述控制极和所述注入极的相对表面相距一个第二间距，该第二间距显著小于所述第一间距，借此可有选择地将电子和空穴注入到所述电荷迁移层并使其各沿着彼此相反的方向穿过所述沟道区。