[发明专利]双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺

权利要求书

1、一种双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺，包括下列步骤：

形成第一导电类型的第一和第二半导体池，每一所述的池由环绕着的绝缘材料横向绝缘，所述的池确定形成第一类双极型晶体管和MOS晶体管的区域，

形成第二导电类型的第三半导体池，所述的第三池由绝缘材料与所述的第一和第二池绝缘，所述的第三池确定在其中形成第二类MOS晶体管的区域，

在所述的第一、第二和第三池上形成第一薄绝缘层和第一多晶硅层，

在所述的第一池中形成相邻的本征和非本征半导体区，由此形成双极型晶体管的本征和非本征基区，

在所述的第一薄绝缘层和所述的第一多晶硅层上制作图形以便在所述的第一池中形成开孔，由此形成双极型晶体管的发射极区，同时，在所述的第二和第三池中形成环形岛，由此形成第一和第二类MOS晶体管的栅极元件，

形成覆盖在所述的第一多晶硅层上的第二多晶硅层，以便在所述的第一池中形成对应于发射极导电体的区域，以及在每一所述的第二和第三池中形成对应于栅极导电体的区域，

对第二多晶硅层进行掺杂，同时在所述的第三池中形成一对半导体区，以形成MOS晶体管源极和漏极区，

驱使掺入到覆盖在所述第一池上的第二多晶硅中的杂质进入所述的本征基区，

在所述的非本征基区中形成第二导电类型的半导体区，在所述的第二池中形成第二导电类型的一对半导体区，由此形成MOS晶体管源极和漏极区，

在所述的第二多晶硅层上形成第二绝缘薄层，在所述第二和第三池的多晶硅栅极上和所述的第一池的发射极上形成一层导电材料，

在所述的重掺杂的本征基区和与其相邻的所述周围绝缘材料上形成所述的第二绝缘薄层和所述的导电材料条带，

在所述的第一池中形成深层集电极，

在所述的深层集电极和相邻的绝缘材料上形成所述的第二绝缘薄层和导电材料条带，

在所述的第二绝缘薄层和覆盖第一和第二类MOS晶体管所述漏极区上的第二绝缘薄层和导电材料上形成多根条带，第一条带同时覆盖与所述MOS晶体管的源极和漏极区相邻的一部分绝缘材料，

使第二绝缘薄层与导电材料反应以形成硅化物，以及，

形成至所述的硅化物的电气接触，由此提供至双极型晶体管的基极、发射极和集电极区的连接线，以及至MOS晶体管的源极、漏极和栅极的连接线。

2、如权利要求1所述的工艺，其特征在于所述的本征和非本征基区由通过所述的第一薄绝缘层和所述的第一多晶硅进行的注入同时形成。

3、如权利要求1所述的工艺，进一步包括：

在所述的深层集电极上形成钛硅化合物接触，在与所述的第一池的绝缘材料上形成所述的硅化物接触。

4、如权利要求1的工艺，进一步包括：

形成深度一致的硅层，不对称地除去所述的硅层，使硅层的一部分保留在多晶硅发射极和栅极元件的侧壁上。

5、一种制作双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺，包括下列步骤：

同时形成一对第一导电类型的半导体池以确定第一类的双极型晶体管位置和MOS晶体管位置，

同时形成一对第二导电类型的半导体池，以确定第二类MOS晶体管的位置和隔离所述的第一导电类型的所述的半导体池的区域，

在所述的双极型晶体管位置内形成半导体基区，

在所述MOS晶体管的两个位置内同时形成栅极绝缘体和栅极导电体，以及形成所述双极型晶体管位置的基区中的发射极区的一发射极绝缘体和发射极导电体图形，

同时对所述的第二类发射极导电体的MOS晶体管的池进行注入以在其中形成源极和漏极区，

把发射极导体的注入杂质扩散入所述的基区以形成发射极区，

在与所述的双极型晶体管的池中形成半导体集电极区，

同时在所述的双极型晶体管的基区中形成重掺杂的半导体区，及在所述的第一类MOS晶体管的池中形成半导体源极和漏极区，

同时形成接触所述的双极型晶体管的基极、发射极和集电极区，以及接触相应MOS晶体管的所述的栅极、漏极和源极区的多个端导电体。

6、如权利要求5的工艺，进一步包括在所述的发射极导体和所述半导体发射区之间形成隐埋接触的步骤。