[实用新型]平面型气敏半导体传感元件无效
| 申请号： | 87216840.9 | 申请日： | 1987-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN2030379U | 公开（公告）日： | 1989-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘光宇 | 申请（专利权）人： | 公安部沈阳消防科学研究所 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;G01N27/12 |
| 代理公司： | 沈阳市专利事务所 | 代理人： | 徐薏华 |
| 地址： | 辽宁省沈阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 型气敏 半导体 传感 元件 | ||
【权利要求书】：
1、一种半导体气敏复合元件，它包括由衬底、漂移区、注入区、电极和SiO2保护层构成的、具有横向P-N结平面型硅器件，其特征在于：在漂移区和注入区及其电极的表面加一层金属氧化物气敏活性材料的覆盖层。
2、根据权利要求1所述的半导体气敏复合元件，其特征在于：所说的气敏活性的金属氧化物多晶半导体覆盖层采用SnO2、ZnO、Fe2O3材料气相热解淀积和光刻工艺成型。
3、根据权利要求1和2所述的半导体气敏复合元件，其特征在于：所说的气敏活性材料的淀积覆盖层可以是单一材质的单层结构，也可以是由多次淀积不同材质的材料构成多层结构。
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