[其他]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体器件包括：

一个其中包括有一个非线性光敏结的三层非单晶半导体部件，非线性光敏结由NIN、PIP、NN^-N、NP^-N、PN^-P或PP^-P构成；

一个与所述部件一个表面欧姆接触的透明的电极；

一个与所述部件另一个表面欧姆接触的对向电极；

2、一种如权利要求1的器件，其中，所述电极与所述半导体部件的接触为欧姆接触。

3、一种如权利要求1的器件，其中，所述电极之一与和其欧姆接触的所述半导体层叠合。

4、一种如权利要求1的器件，其中，所述三层式部件由加有氢原子或卤素原子的非单晶硅半导体构成。

5、一种如权利要求1的器件，其中，所述三层式部件的光敏半导体层由加有氢原子或卤素原子的Six（1-x（0＜X＜1）和/或SixN4-X（0＜X＜4）构成。

6、一种如权利要求5的器件，其中，所述部件的一层是掺有磷原子的N型层。

7、一种如权利要求5的器件，其中，所述部件的一层是掺有硼原子的P型层。

8、一种如权利要求5的器件，其中，所述光敏半导体层基本上是本征的。

9、一种如权利要求8的器件，其中，所述光敏半导体层由非晶硅半导体构成。

10、一种如权利要求1的器件，其中，所述透明半导体层由方格玻璃构成。

11、一种如权利要求1的器件，其中，所述对向电极是金属电极，它还起到注入装置的作用。

12、一种如权利要求11的器件，其中，与所述金属电极接触的所述半导体部件的半导体层为N型。

13、一种如权利要求12的器件，其中，所述金属电极由铬构成。

14、一种如权利要求11的器件，其中，所述透明电极带有一个在其上形成一层铬膜层的附加延展部分。

15、一种如权利要求1的器件，其中，所述半导体层由加在其中的NIN结构成。

16、一种如权利要求15的器件，其中，N型层的形成为300-1000。

17、一种如权利要求16的器件，其中，N型层形成为晶体结构。

18、一种如权利要求17的器件，其中，所述N型半导体层的导电率是10^-4-10Som^-1。

19、一种如权利要求1的器件，其中，所述半导体部件形成有加在其中的PIP结。

20、一种如权利要求19的器件，其中，所述半导体部件的光敏半导体层掺有氢原子或卤素原子。

21、一种如权利要求20的器件，其中，所述光敏半导体的厚度为0.2至1微米。

22、一种如权利要求1的器件，其中，所述元件由多个具有大致相同形状的部分组成，所述部分能够分别具有光传感器的作用。

23、一种如权利要求22的器件，其中，所述多个部分排列成陈列，该陈列具有各个部分的电极装置。

24、一种如权利要求23的器件，其中，所述陈列为一个带有所述透明电极和所述对向电极的矩阵，所述透明电极由多个平行隔离的条组成，所述对向电极也由多个平行隔置的条组成，所述部分置于构成所述电极装置的所述电极装置的交叉处。

25、一种半导体器件包括：

一块衬底;

在衬底上的第一导电型的第一和第二非单晶半导体层;

一层安插在所述第一半导体层的半导体层之间的中间非单晶光敏半导体层，所述中间半导体层的掺杂水平低到使由所述三层构成的三层式半导体基本表现出非线性电压-电流特性;以及

一个所述三层式半导体的电极装置。