[发明专利]半导体电压控制变容器无效
| 申请号： | 87103188.4 | 申请日： | 1987-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1005885B | 公开（公告）日： | 1989-11-22 |
| 发明（设计）人： | 朱长纯;刘君华 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L29/93 |
| 代理公司： | 西安交通大学专利事务所 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 电压 控制 容器 | ||
【权利要求书】：
1、一种MINP四层结构的电压控制变容器，属电压控制的用于振荡或转换的半导体器件，由集电极〔1〕、SiO2绝缘层〔2〕、N型外延层〔3〕、P型衬底〔4〕和发射极〔5〕组成，该器件的电容值C为其两端电压Vec的函数，其特征是：①P型衬底〔4〕选用电阻率为0.08Ωcm以下的P型单晶硅，〈100〉晶向，单面抛光，无位错，厚度为0.34至0.42mm;②N型外延层〔3〕用硅烷或四氯化硅外延生长，厚度为8至11μm，电阻率为10Ωcm左右，层错密度小于100个/cm2;③背面蒸铝电极制作发射极〔5〕，用真空蒸发法，衬底温度200℃，厚度大于3000;④SiO2绝缘层〔2〕是在600℃、干氧流量为400ml/min时二小时内生成，厚度为80至100，同时背面硅、铝合金化;⑤蒸正面铝，条件同蒸背面铝，只是衬底温度为150℃;⑥用常规光刻工艺反刻铝，制得集电极〔1〕;⑦封装采用2CK22开关二极管的陶瓷环氧封装工艺。
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