[发明专利]可控硅串联逆变器电路

权利要求书

1、一种抑制串联逆变器电路中过电压的方法，它以控制串联迥路中谐振电容器上的电压为手段，其特征是：A、由该谐振电容器、直流电压源及可控开关组成辅助换流电路。B、利用该电容器上的电压，由辅助换流电路强迫关断正在导通的开关器件，同时，C、由辅助换流电路中的直流电压源及可控开关组成电压钳位电路，直接限制该电容器上电压的增长并由直流电压源吸收电抗器中多余的能量。

2、按照权利要求1的方法而设计的一种可控硅串联逆变器电路，它由不对称半桥式可控硅串联逆变电路和附加的可控硅组成。其中，不对称半桥式可控硅串联逆变电路由直流电源1，可控硅2，电容器3，电抗器4，次级带负载6的输出变压器5依次串联联接构成的串联迥路，以及阳极和阴极分别接可控硅2的阴极和直流电源1的负（-）端的可控硅7组成。本发明的特征是：A、附加的可控硅8跨接在电源1的正（+）端和电容器3，电抗器4的公共联接点之间，其阴极接电源1的正（+）端，B、以权利要求1的方法来抑制该可控硅串联逆变器电路中的过电压。

3、根据权利要求2所述逆变器电路，其特征是辅助换流电路中的可控硅开关可以是可控硅、晶体管、单向导阀门或其它具有开关功能的器件或组件。

4、根据权利要求2所述逆变器电路，其特征是辅助换流电路中的直流电压源可以是给逆变器供电的直流电源，另外附加的直流电压源，充电的电容器或以上电源的组合。