[其他]电荷耦合器件用的半导体器件

权利要求书

1、电荷耦合器件用的一种半导体器件，其特征在于，它包括：

一个被输入各信号到其上的输入部分;

将输入到所述输入部分的各信号转变为载流子并将所说载流子转移的第一装置;以及

当所说载流子通过所说第一装置被转移到浮置栅电极下面某一处时在固定的时间里将已知电压加到所说浮置栅电极上，并将所说载流子转变为输出信号的第二装置。

2、如权利要求1中所的提出的一种半导体器件，其特征在于，将所说载流子转变为输出信号的所说装置，在被转移的载流子是电子的情况下，输出信号响应电压时正比于被转移电子的电荷的而在被转移的载流子是正空穴的情况下，输出信号响应电压时反比于被转移正空穴的电荷。

3、如权利要求2中所提出的一种半导体器件，其特征在于，所说输入部分以及第一和第二装置都设置在一半导体衬底上。

4、如权利要求3中所提出的一种半导体器件，其特征在于，所说半导体衬底是一块连接到地的p型硅衬底。

5、如权利要求4中所提出的一种半导体器件，其特征在于，所说第二装置还包括一层由n型离子注入所制得的薄n型层区、一层由SiO₂制成的绝缘层、一个转移电极、一个输出栅电极、一个预充电栅电极、一个由n型离子注入制得的起n⁺型扩散区作用的预充电漏区、一个场效应晶体管以及一个连到所说场效应晶体管栅电极的复位脉冲输入端。

6、如权利要求5中所提出的一种半导体器件，其特征在于，移相后的复位脉冲被加到所说栅电极，以使该栅电极在所说载流子被转移到所说浮置栅电极下面的n型层区时处于高电平，从而用复位电压加给所说浮置栅电极以便将所说浮置栅电极复位。

7、如权利要求3中所提出的一种半导体器件，其特征在于，所说第一装置是一个体沟道电荷耦合器件。

8、如权利要求3中所提出的一种半导体器件，其特征在于，所说第一装置是一个表面沟道电荷耦合器件。

9、如权利要求3中所提出的一种半导体器件，其特征在于，所说第一装置是一个戽斗式器件。

10、如权利要求3中所提出的一种半导体器件，其特征在于，所说半导体器件是n型硅衬底器件。

11、一种输出信号的方法，在被转移的载流子是电子的情况下，该信号在响应电压时正比于被转移的电子的电荷，而在被转移载流子是正空穴的情况下，该信号反比于被转移的正空穴的电荷，该方法的特征在于它包括下列步骤：

将信号输入到一输入部分，

将输入至所说输入部分的信号转变为载流子;

将所说载流子转移到一输出部分;

当所说载流子被转移到在浮置栅电极下面的所说输出部分时，将一预定电压加到属于所说输出部分元件的浮置栅电极;以及

将所说载流子转变为用以输出的信号。