[发明专利]用在电子摄影术中的光接收元件

权利要求书

1、一种用于电子摄影的光接收元件，包括：一个用于电子摄影的基底和一个设置在所述基底上的光接收层，其特征在于所述光接收层包括：包括含有硅原子和锗原子的多晶材料的一层长波光吸收层、包括含有硅原子的非晶材料为主要成分的光电导层和包括分子式为A-(Si_xC_1-x)_y∶H_1-y的非晶材料的表面层，其中X为0.1至0.99999，Y为0.3至0.59，并含有41至70原子百分比的氢原子；所述长波光吸收层、所述光电导层和所述表面层按该次顺从所述基底侧迭层在一起。

2、根据权利要求1所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于长波光吸收层含有至少一种从氮原子、氧原子、碳原子和一种电导率控制的元素中选出的原子。

3、根据权利要求2所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于电导率控制元素是从化学元素周期表Ⅲ族和Ⅴ族中选出的元素。

4、根据权利要求1所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于长波光吸收层为30至50ηm厚。

5、根据权利要求1所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于长波光吸收层中锗原子含量是基于该层中锗原子和硅原子总含量的1至1×10⁶原子ppm。

6、根据权利要求1所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于光电导层含有从周期表Ⅲ和Ⅴ族元素中选出的量为1×30^-3至3×10^-2ppm的杂质。

7、根据权利要求1所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于光电导层含有至少一种从氢原子和卤素原子中选出的总量为1至40原子百分比的原子。

8、根据权利要求1所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于长波光吸收层含有在厚度方向上呈非均匀分布状态的锗原子。

9、根据权利要求3所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于导电率控制元素的成分为1×10^-2至5×10⁵原子ppm。

10、根据权利要求1所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于光电导层含有至少一种从氮原子和氧原子中选出的总量为5×10^-4至30原子百分比的原子。

11、根据权利要求1所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于光电导层为1至100μm厚。

12、根据权利要求1所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于表面层含有量为1×10^-3至90原子百分比的碳原子。

13、根据权利要求1所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于表面层为0.003至30μm厚。

14、根据权利要求1所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于光接收层还包括一层电荷注入阻挡层，该层包括含有硅原子为主要成分及从周期表Ⅲ和Ⅴ族选出的30至5×10⁵原子ppm的导电率控制元素的非晶材料;所述电荷注入阻挡层设置在长波光吸收层和光电导层之间。

15、根据权利要求14所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于导电率控制元素是均匀分布在电荷注入阻挡层的整个层区内。

16、根据权利要求14所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于电导率控制元素是沿电荷注入阻挡层厚度方向呈非均匀分布的。

17、根据权利要求14所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于电荷注入阻挡层还含有至少一种从氮原子和卤素原子中选出的总量为1至40原子百分比的原子。

18、根据权利要求14所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于电荷注入阻挡层为1×10^-2至10μm厚。

19、根据权利要求1所述的用于电子摄影的光接收元件，其特征在于光接收层还包括一层增强基底与长波光吸收层之间粘结力的接触层。