[其他]深区PN结二极管无效
| 申请号： | 87100967 | 申请日： | 1987-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN87100967A | 公开（公告）日： | 1987-11-11 |
| 发明（设计）人： | 孙本栋;林志刚 | 申请（专利权）人： | 山东烟台无线电九厂 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/72;H01L21/28 |
| 代理公司： | 烟台市专利事务所 | 代理人： | 刘志毅 |
| 地址： | 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深区 pn 二极管 | ||
【权利要求书】：
1、一种深区PN结二极管，其特征是在芯片的深N+层2、深P+层4中形成PN结。
2、根据权利要求1所述的深区PN结二极管，其特征是深P层3的深度为3～4μ，深N+层2的深度为5～6μ。
3、根据权利要求1所述的深区PN结二极管，其特征是接触金属钛层6与深P层3相接触，过渡金属铬层7在钛金属层6和银电极8之间。
4、适用于权利要求1、2、3所述的深区PN结二极管的制造工艺，其特征在于用氧化置换反应刻蚀电极8。
5、适用于权利要求1、2、3所述的深区PN结二极管的制造工艺，其特征在于刻蚀电极8后的芯片在700～800℃的高真空中热处理40～140分钟。
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