[发明专利]半导体激光器

权利要求书

1、一种半导体激光器，包括：

半导体衬底；

形成在该半导体衬底上的半导体叠层结构，它带有激活区和敷层以及用于提供载流子以使激活区发光的一对电极，其特征在于激活区具有多量子阱结构，该多量子阱结构包括一厚度小于电子的德布罗意波长及的阱层和一阻挡层，而且该多量子阱结构包括掺有浓度不低于1×10^18cm-3且不高于2×10^19cm-3的杂质的部分。

2、权利要求1的激光器，其中激活区包括多个阱层和阻挡层。

3、权利要求2的激光器，其中掺杂的部分是阱层。

4、权利要求2的激光器，其中掺杂的部分是阻挡层。

5、权利要求1的激光器，其中杂质均匀地掺在激活区中。

6、权利要求1的激光器，其中杂质是受主杂质。

7、权利要求1的激光器，其中杂质是施主杂质。

8、权利要求2的激光器，其中阻挡层带有中心区且该中心区掺有杂质。

9、权利要求2的激光器，其中激活区有多个阻挡层。

10、权利要求9的激光器，其中阻挡层中有中心区域，该中心区域包括第一导电类型的第一中心区和第二导电类型的第二中心区。

11、权利要求1的激光器，其中杂质是从Mg和Be中选出的。

12、权利要求1的激光器，其中半导体叠层结构包括第一导电类型的第一敷层和第二导电类型的第二敷层，而激活区在敷层之间。

13、权利要求2的激光器，其中激光区的导电类型沿叠置阱和阻挡层的方向是不同的。

14、权利要求12的激光器，其中与第一敷层相邻构成激活区的第一部分的阱和阻挡层是第一导电类型的，而激光区第一部分以外的其他部分是第二导电类型的。

15、权利要求12的激光器，其中阻挡包括与第一敷层相邻的第一导电类型的第一阻挡层和第二导电类型的第二阻挡层，而所有阱层都未掺杂。

16、权利要求13的激光器，其中阻挡层包括一未掺杂的并与一阱层相接触的部分。

17、权利要求2的激光器，其中阻挡层包括至少一个部分，该部分未被掺杂并从其与阱层相接触的界面延伸出去，阻挡层的另一部分掺有杂质，而阱层未掺杂。