[发明专利]半导体器件

权利要求书

1、一种制造双极型晶体管的方法，其特征在于包括下列步骤：在半导体衬底中基区的未氧化表面上限定一多晶硅发射极台面；在该半导体基底上进行氧化处理从而生成氧化层，部分氧化层扩展到包括顶部和侧壁的发射极台面上；将基极接触区注入通过该氧化层与基区接触的衬底；至少利用发射极台面的一个侧壁上的氧化层作为注入掩模的一部分，这样，基极接触区就与发射极台面自对准，注入掩模的另一部分由光刻胶提供。

2、如权利要求1所要求的一种方法，其中，基区是经一掩模层上的窗口，穿过衬底上的另一氧化层注入衬底的，而后去掉由窗口所暴露的再一氧化层。

3、如权利要求2所要求的方法，其中，在去掉由窗口所暴露的基基底上的再一氧化层部分之后，由淀积在衬底上的多晶硅层限定台面。

4、如权利要求3所要求的方法，其中，发射极台面的限定包括给多晶硅层加掩模和干腐蚀。

5、如权利要求3或4所要求的方法，进一步包括下列步骤：由所述多晶硅层，至少限定一个多晶硅集电极接触对准台面;并采用集电极与基底接触的结构的对准台面。

6、如权利要求3或4所要求的一种方法，进一步包括下列步骤，至少从所说多晶硅层限定一个多晶硅接触对准台面，该对准台面置于再一氧化层上，其侧壁在所说氧化过程中被氧化;利用该对准台面的至少一个氧化侧壁作为部分注入掩模，将一集电极接触区域注入衬底，借此由该对准台面来限定发射极台面和集电极接触区之间的空间。

7、如权利要求5所要求的一种方法，其中发射极台面和集电极接触区之间的空间由对准台面来限定，该对准台面对晶体管方面不起有用的作用只是用于所说的空间限定。

8、如权利要求1所要求的一种方法，其中，在发射极台面的顶部上的氧化层在基极接触注入期作为掩模，以便将基极接触注入离子排除发射极台面。

9、一种双极晶体管，其特征在于有一硅衬底，一基极区置于该衬底的表面区中，一多晶硅发射极台面与该基区接触，一氧化层盖在该衬底表面和发射极台面的顶部及至少一个侧壁，以及一个通过对该氧化层注入产生的基极相接触区，至少一个侧壁上的氧化层在制做晶体管期间做为部分基极接触区注入掩模，借此获得基极接触区与发射极台面的自对准。

10、如权利要求9所要求的双极晶体管，其中，发射极台面基本上置于基区中心，该晶体管包括置于发射极台面相对两侧的两个基极接触区，通过相应的发射极台面氧化的侧壁与发射极自对准。

11、如权利要求9或10所要求的双极晶体管，其中包括一个与衬底相连的集电极接触。

12、如权利要求11所要求的双极晶体管，其中包括与发射极台面隔开的多晶硅对准台面，并限定发射极台面与集电极接触间的距离。

13、如权利要求11所要求的双极晶体管，包括一个与所说发极台面空间离开的多晶硅对准台面，该对准台面限定了发射极台面和集电极接触区之间的空间;并且只作为上述空间限定用，而在晶体管方面无有用的作用。

14、如权利要求13所要求的双极晶体管，其中，对准台面和发射极台面二者均由在腐蚀工序中的共同掩模中的一个多晶硅层限定。

15、如权利要求13所要求的双极晶体管，其特征在于由于由对准台面提供的基极接触区与发射极台面的自对准和发射极台面和集电极接触区的自对准，实现了完全的自对准。

16、如权利要求9所要求的双极晶体管，其中发射极台面的顶部上的氧化层在基极接触注入期，作为掩模，以将基极接触注入离子从发射极台面排除。