[其他]太阳能电池阵列

权利要求书

1、一太阳能阵列包括：

a，第一铝箔层内有许多间隔的小孔，

b，许多半导体构件，每个均有P型和N型区域，N型连接到所述的第一铝箔，

c，接触件和所述的第一铝箔绝缘，并连接到P型区域。

2、如权利要求1所述的太阳能阵列，其中所述的接触件是第二铝箔。

3、如权利要求2所述的太阳能阵列，其中所述的半导体构件是球形的。

4、如权利要求3所述的太阳能阵列，其中所述的半导体构件的大园是在远离所述的接触件的所述的第一铝箔该面的前方。

5、如权利要求4所述的太阳能阵列，进一步包括置于远离在所述的接触件的所述的第一铝表面上的抗反射涂层。

6、一种制成太阳能阵列的方法，包括的步骤有：

a，提供第一铝箔，

b，在所述箔上预定位置上形成小孔，

c，提供在P型内芯上具有N型外壳的球形半导体粒子，

d，在所述的孔内把所述的箔连接到所述的N型区域，

e，在所述的第一箔的一面上去除N型层，

f，在所述第一箔上的一面形成一绝缘层，并从这表面上去掉N型层，

g，去除所述粒子的P型芯的一部分和其上的绝缘层，

h，将第二铝箔键合到已去除部分P型芯的区域。

7、如权利要求6所述的方法，进一步包括在步骤（h）前，先使去除P型芯子部分的区域粗糙的步骤。

8、如权利要求7所述的方法，进一步包括在远离所述的第二箔的所述第一箔表面上形成一抗反射涂层的步骤。

9、如权利要求8所述的方法，其中步骤（d）包括将所述的粒子置放在远离所述第二箔所述第一箔表面的前面具有所述粒子大园的所述孔中。

10、一种把半导体材料键合到铝箔上去的方法，包括的步骤有：

a，提供其内带有不连续间隔的小孔的铝箔，

b，放置球形半导体材料到毗邻的所述的孔中，

c，在大约到500℃的范围加热所述箔和所述材料，

d，移动所述材料进入所述的孔，在力的作用下移动所述材料，因此在所述材料和所述箔表面上的自然氧化物被剪切以暴露相互键合用的底层材料。

11、如权利要求10所述的方法，其中步骤（d）包括在冲击下的移动。

12、一种将半导体材料键合到铝上的方法，包括的步骤有：

a，提供铝构件，

b，放置半导体材料到毗邻所述的铝构件，

c，加热所述的铝构件和所述的半导体材料，使温度在大约500℃到577℃的范围，

d，迫使所述的半导体材料进入所述的铝构件，在冲击下，在冲击点暴露元素铝和半导体材料。

13、如权利要求12所述的方法，进一步包括在步骤（d）后冷却半导体材料和铝构件到环境温度的步骤，以在所述的铝构件和所述的半导体材料之间形成键合。

14、如权利要求12所述的方法，其中的半导体材料是硅。

15、一种在铝箔上形成孔阵列的制造方法，包括的步骤有：

a，提供表面具有薄氧化物的铝箔，

b，压制所述的箔的预定位置不连接间隔区域以提供在所述箔中在所述的压制面上减小厚度的区域。

c，沿所述箔的全部表面蚀刻所述的箔，以去除减小厚度的所述区域，以在所述的减小厚度的区域处在所述的箔上形成孔。

16、一种在硅体上形成接触的方法，包括的步骤有：

a，提供表面具有氧化层的硅材，

b，机械去除所述的氧化层和所述硅材的一部分，

c，在去除硅材的区域，在硅材上提供粗糙表面，

d，在加温时把接点键合到所述的粗糙表面，

17、一种如权利要求16所述的方法，其中所述的接点是铝接点。

18、如权利要求17所述的方法，其中所述的硅材是球形的，所述的接点是箔。