[其他]高密度互补型金属氧化物半导体集成电路制造工艺

权利要求书

1、一种制造互补型金属氧化物半导体双阱半导体器件的方法，包括以下步骤：

将N杂质注入到P型硅体表面一个选定的区域里，造成一个N阱区，并在所述N阱区上面生长第一层氧化物，

使用所述的第一层氧化物作为掩膜，将P杂质注入到所述的表面，从而形成一个P阱区，并对所述的硅体进行热处理而驱使所述的N阱和P阱进入到所述的表面，

在所述表面上形成一层氧化掩膜，并在所述P阱区里的所述掩膜里开一个孔，然后，在所述的孔里腐蚀一个凹口，腐蚀到所述孔里所述表面的硅里，

在所述的凹口里氧化所述的硅，从而造成一个延伸到所述表面里的场氧化物隔离区，场氧化物有一个上表面，同上述的表面差不多在同一平面，

在所述的表面上加一层导电材料，并在上述层上形成图案以使在上述的N阱和P阱区上留下栅层，

使用所述的栅层作为掩膜，将n+杂质注入到N阱和P阱区里，以在P阱区里形成N沟晶体管的N+源极/漏极，

使用栅层和一个光刻胶涂层作为掩膜，将P+杂质仅注入到N阱区，在N阱区里形成P+源极/漏极区，其浓度比在所述的N+源极/漏极里的高得多。

2、按照权项1的方法，包括在所述的注入步骤以前，在所述的棚层上形成测壁垫层的步骤。

3、按照权项1的方法，包括在形成所述的场氧化物以前，在所述的凹口底部形成一个沟道阻断区的工艺步骤。

4、按照权项1的方法，包括在所述的源极/漏极区形成直接起反应的硅化物的工艺步骤。

5、按照权项4的方法，其中，所述的形成直接起反应的硅化物的工艺步骤是由在所述栅层上的测壁氧化层作掩膜的。

6、按照权项5的方法，其中，所述的栅层是多晶硅，并且包括在所述的栅层上面形成直接起反应的硅化物的步骤。

7、按照权项1的方法，其中，在所述的凹口里氧化所述硅的所述步骤包括选择性地在所述凹口的测壁上形成一层氧化  掩膜。

8、一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

将一种类型的杂质注入到相反类型的半导体本体的表面的一个选定区域里，形成第一个阱区，并在所述的第一个阱区上生长第一层氧化层，

使用所述的第一层氧化层作为掩膜，将相反类型的杂质注入到所述的表面里，形成第二个阱区，并对所述的本体进行热处理，从而驱使所述的第一个阱和第二个阱，进入到所述的表面里，并且接着对于在所述的第一和第二个区里形成的晶体管建立阈值电压，

在所述的表面上形成一层氧化物掩膜，并在所述的第二个阱区里的所述掩膜里开一个孔，然后在所述的孔里腐蚀一个凹口进入到所述的表面里，

在所述的凹口里氧化所述表面的所述半导体材料，形成延伸到所述表面里的场氧化物隔离区，场氧化物有一个上表面，同所述的表面差不多在同一平面，

在所述的表面上加一层导电材料，并在上述的层上形成图案以使在上述的第一阱和第二阱区上留下栅层，

使用所述的栅层作为掩膜，将所述的一种类型的杂质注入到第一阱和第二阱区，以在第二阱区形成晶体管的源极/漏极区域。

将所述的相反类型的杂质仅注入到第一阱区，在第一阱区  造成晶体管的源极/漏极区，其浓度比在所述的第二阱区里的所述源极/漏极区的浓度高得多。

9、按照权项8的方法，包括在所述的注入步骤以前，在所述的栅氧化层上形成侧壁垫层的步骤。

10、按照权项8的方法，包括在形成所述的场氧化物以前，在所述的凹口底部形成一个沟道阻断区的工艺步骤。

11、按照权项8的方法，包括在所述的源极/漏极区上形成直接起反应的硅化物的工艺步骤。

12、按照权项11的方法，其中，所述的形成直接起反应的硅化物的工艺步骤是由在所述栅层上的侧壁氧化层作掩膜的。

13、按照权项12的方法，其中，所述的栅层是多晶硅，并且包括在所述的栅层上面形成直接起反应的硅化物的步骤。

14、按照权项8的方法，其中，在所述的凹口里氧化所述的半导体材料的步骤包括选择性地在所述凹口的侧壁上形成一层氧化物掩膜。