[其他]陶瓷材料的致密化方法无效
| 申请号： | 85107386 | 申请日： | 1985-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN85107386A | 公开（公告）日： | 1986-10-01 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·L·巴尼伯格;瓦尔·J·克鲁科尼斯 | 申请（专利权）人： | 巴布考克和威尔科斯公司 |
| 主分类号： | C04B41/82 | 分类号： | C04B41/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 全菁,吴大建 |
| 地址： | 美国路易斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷材料 致密 方法 | ||
1、一种增加陶瓷材料密度的方法，其特征在于，该方法包括：
a.将陶瓷母体溶解在超临界流体中；
b.将充满了陶瓷母体的流体渗透陶瓷材料；
c.降低陶瓷母体在流体中的溶解度，以便使陶瓷母体沉积在陶瓷材料的空隙位置中。
2、按照权利要求1的方法，其特征在于，超临界流体是从甲烷、乙烯、二氧化碳、乙烷、一氧化二氮、丙烷、丁烷和氯代、氟代、以及氯氟-碳氢化合物中挑选出来的流体。
3、一种增加氮化硅材料密度的方法，其特征在于，该方法包括：
a.将陶瓷母体溶解在超临界流体中;
b.将充满了母体的流体渗透氮化硅材料;
c.降低陶瓷母体在流体中的溶解度，以便使陶瓷母体沉积在氮化硅材料的空隙位置中。
4、按照权利要求3的方法，其特征在于，氮化硅是一种多孔反应烧结氮化硅。
5、按照权利要求3的方法，其特征在于，陶瓷母体是一种起着氮化硅母体作用的含硅聚合物质。
6、一种增加氮化硅材料密度的方法，其特征在于，该方法包括：
a.将陶瓷母体溶解在超临界流体中;
b.将充满了母体的流体渗透碳化硅材料;
c.降低陶瓷母体在流体中的溶解度，以便使陶瓷母体沉积在碳化硅材料的空隙位置中。
7、按照权利要求6的方法，其特征在于，陶瓷母体是异丙基氧化铝。
8、一种增加硼硅酸铝材料密度的方法，其特征在于，该方法包括：
a.将陶瓷母体溶解在超临界流体中;
b.将充满了母体的流体渗透硼硅酸铝材料;
c.降低陶瓷母体在流体中的溶解度，以便使陶瓷母体沉积在硼硅酸铝材料的空隙位置中。
9、按照权利要求6或8的方法，其特征在于，陶瓷母体是一种起着碳化硅母体作用的含硅聚合物质。
10、按照权利要求6或8的方法，其特征在于，作为碳化硅母体的含硅聚合物质是聚硅烷。
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