[其他]半导体压力传感器无效
| 申请号: | 85105726 | 申请日: | 1985-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN85105726A | 公开(公告)日: | 1987-03-04 |
| 发明(设计)人: | 武田次郎;市川范男;鹤冈一广 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号: | G01C9/04 | 分类号: | G01C9/04 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 刘晖 |
| 地址: | 日本东京都千代*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 压力传感器 | ||
1、一种半导体压力传感器有一个外壳体,其中具有一个用来封装半导体应变计的腔室,一个密封薄膜紧紧地密闭住上述腔室,用密封油充入上述密封薄膜和上述腔室中间的空间里,其特征在于:具有一个压力传递孔的面板外围上,用塑料流体材料在腔室的外围部位将上述密封膜紧紧地密封在上述腔室上。
2、如权利要求1所述的半导体压力传感器,其特征在于:上述外壳体的材料是0.45%的碳钢,上述面板的材料是冷滚轧碳钢片。
3、如权利要求1所述的半导体压力传感器,其特征在于:上述半导体应变计是通过硼硅酸盐玻璃装设在上述外壳体上的。
4、如权利要求1所述的半导体压力传感器,其特征在于:上述外壳体在上述腔室中有一个台阶,在上述台阶的平表面和上述面板之间,用140-180千克/毫米2的压力,将上述面板夹在上述台阶的周围部位上。
5、如权利要求1所述的半导体压力传感器,其特征在于:上述面板制成盘状,上述外壳体在上述腔体中有一台阶,在上述台阶内侧周围部位上有许多微细的沟槽,上述沟槽的间距为0.15-0.25毫米,沟槽的深度为0.03-0.08毫米,其中使用塑料液体将上述薄板与上述沟槽相结合。
6、如权利要求1所述的半导体压力传感器,其特征在于:从上述腔室的底部到与其相对的上述外壳体的对面表面上形成一个通孔,把一根引出半导体应变计信号的导线杆紧紧地封密在上述通孔里。
7、如权利要求1所述的半导体压力传感器,其特征在于:上述腔室包括一个在上述外壳体的一侧表面上形成的凹槽腔室。
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