[其他]作为掺杂剂的磷酰三胺及其聚合物在审
| 申请号: | 85104374 | 申请日: | 1985-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN85104374A | 公开(公告)日: | 1986-12-03 |
| 发明(设计)人: | 罗伊斯·简尼·阿尼罗;斯蒂芬·威克弗德·卡特林;丹尼尔·福兰克·哈里斯 | 申请(专利权)人: | 阿兰德公司 |
| 主分类号: | C07F9/06 | 分类号: | C07F9/06;H01L21/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 美国新泽西州07960*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 作为 掺杂 磷酰三胺 及其 聚合物 | ||
1、由磷掺杂剂配方形成一种感应导电性的薄膜,在此配方中的磷酰三胺在其挥发性溶剂中所占的比例至少为1.0%(重量),此磷酰三胺可由含下述单体和聚合物的结构基团中来选择,单体的结构式为
(RNH)3P∶=X
而聚合物的结构式为
作为这种基本掺杂剂的组分,其中“R”是选自氢、含1~12个碳原子的脂肪族烷基、环烷基和芳基,X则选自含氧和硫的基团;并且至少有一个R基团,此R基团或是脂肪族烷基、环烷基、或是芳基。
2、据权利要求1所述掺杂剂的配方,其中,磷酰三胺至少含有大约0.1%(重量)的选自由环状二聚物和环状三聚物构成的基团中的环状化合物,环状二聚物的结构
环状三聚物的分子式为:
还含有上述二式的混合物。
其中,R和X在不考虑氢的情况下,具有上面所给定的数值。
3、据权利要求1所述掺杂剂的配方,其中,基本掺杂剂的成份是单体。
4、据权利要求1所述掺杂剂的配方,其中,基本掺杂剂的成份是二聚物。
5、据权利要求1所述掺杂剂的配方,其中,基本掺杂剂的成份是三聚物。
6、据权利要求1所述掺杂剂的配方,其中,基本掺杂剂的成份是绒性聚合物。
7、一种向半导体材料提供权利1中所述的聚合物配方的方法,它包括将溶液状的聚合物施加到硅片的表面,而硅片以每分钟2000~10000转的转速旋转;以在半导体材料上产生一层厚度约100~7000埃的聚合物薄膜,同时将经过处理的硅片在扩散炉中于氮气氛(含0~30%的氧)中在850~1100℃下加热0.1~2.0小时。
8、一种在半导体材料上掺杂质的方法,它包括:
(a)使半导体材料旋转,
(b)同时,将一种溶液涂到上述的半导体材料上,该溶液至少具有1.0%(重量)的玻璃化树脂,该树脂是从按照权利要求1的配方配制的掺杂剂的薄膜中得到的。
9、据权利要求7所述的方法,其中,上述的施涂溶液具有的树脂浓度大约为1.0%左右至40%(重量)。
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