[其他]基片偏压发生电路

权利要求书

1、一为另一电路产生一偏置电压的集成电路，所述两电路均集成在半导体基片上，所述集成电路包括有一产生控制脉冲的振荡器和至少一充电泵，由控制脉冲得来的电脉冲被加到所述充电泵上，所述充电泵由一电容和一二极管串联组成，所述电脉冲被加到所述电容的第一极上，所述电容的第二极连接到与该电容相连的二极管上，所述充电泵的一输出端连接到基片和所述电容的结点上，所述充电泵的二极管经过一绝缘栅开关三极管的通道被连接到所述集成电路的接地点上，所述绝缘栅三极管的栅极被连接到一接收控制脉冲的控制电路上，其特征在于：所述开关三极管至少要与另外的一开关三极管串联连接，所述另外开关管的绝缘控制极接受所述充电泵送来的所述电脉冲，所述控制脉冲由所述控制电路倒相后被加到第一个提到的所述开关三极管的控制极上，当给所述控制电路加上一控制脉冲时所述控制电路就将所述第一个提到的开关三极管的控制极和它的主电极（源极）相互连接在一起。

2、一如权利要求1所述的电路，其特征在于：所述电容是由一与所述二极管相连的绝缘栅三极管构成的，脉冲被加到这两个互相连接的主电极上。

3、一如权利要求2所述的电路，其特征在于：所述电容是由一P导电型的三极管形成的。

4、一如权利要求1，2或3所述的电路，其特征在于：所述二极管是由一连接成二极管用的三极管构成，所述三极管与所述第一个提到的以及所述集成电路中的其它开关三极管一样是N导电型。

5、一如权利要求1，2或3所述的电路，其特征在于：所述控制电路为一倒相放大器，所述放大器的一N型输出三极管的一沟道将所述控制极与所述第一个提到的开关三极管的主电极相联。

6、一如权利要求5所述的电路，其特征在于：所述倒相放大器还包括一P导电型三极管，所述三极管的沟道被接到所述第一个提到的开关三极管的控制极上和电源端上，所述倒相放大器的P沟道和N沟道三极管的控制极都被接到所述振荡器的一第一输出端上，所述振荡器是一个环形振荡器，由奇数个倒相放大器组成，所述倒相放大器由互补的绝缘栅三极管组成，所述电脉冲借助于单互补放大器把控制脉冲倒相形成的。

7、一如权利要求1，2，3，4，5和6中任一权利要求所述的电路，其特征在于：还有一个由一个电容和一个二极管串联组成的充电泵，所述电容与二极管的结点连到所述第一个提到的充电泵的输出端，在所述充电泵中所述控制脉冲被加到所述电容上，而所述第二个充电泵的输出端被连接到所述基片上。

8、一如权利要求1，2，3，4，5，6和7中任一权利要求所述的电路，其特征在于：所述电路至少部分是在一个P型半导体基片上的一个N阱（或N型槽区）上形成的。

9、一如权利要求8所述的电路，其特征在于：所述电路包括有低阻记忆单元和N沟道导电型三极管组成的存贮单元。