[发明专利]光降解聚乙烯薄膜及其用途无效

专利信息
申请号: 85100494.6 申请日: 1985-04-01
公开(公告)号: CN1015465B 公开(公告)日: 1992-02-12
发明(设计)人: 唐松青;徐思羽;黄根龙;唐大森;李良发;王剑良;丁宏勋;郑炳昌;顾振宗;陈玉书;陶云龙;陶宏;马启正;钟 申请(专利权)人: 中国科学院上海有机化学研究所;中国石油化工总公司上海石油化工总厂
主分类号: C08L23/06 分类号: C08L23/06;C08K5/56;A01G13/02
代理公司: 中国科学院上海有机化学研究所专利办公室 代理人: 邬震中,石家荣
地址: 上海市零陵*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 光降解 聚乙烯 薄膜 及其 用途
【权利要求书】:

1、一种含有二茂铁衍生物光敏催化剂的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是含有重量百分数为0.01-0.50%的一种或一种以上分子式为长链取代基二茂铁衍生物的光敏催化剂,式中R1=H或R,R=C7-C11的烯基、除甲酸基外的羧酸基、除甲酸酯基外的羧酸酯基、正辛基或COR11;R11为C4-C10的烯基、除甲酸外的羧酸基或羧酸酯基及正庚基、最佳含量为0.05-0.30%,还可含有微量的光活化剂,薄膜厚度为3-15微米。

2、如权利要求1所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是所述的薄膜最佳厚度为5-10微米。

3、如权利要求1所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是所述的光敏催化剂是正辛基二茂铁。

4、如权利要求1所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是所述的光敏催化剂是γ-二茂铁基丁酸丁酯。

5、如权利要求1所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是所述的光敏催化剂是γ-二茂铁基丁酸。

6、如权利要求1所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是所述的光敏催化剂是正辛酰基二茂铁。

7、如权利要求1所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是所述的光敏催化剂是十一烯酰基二茂铁。

8、如权利要求1,2,3,4,5或6所述的可控光降解聚乙烯薄膜的生产方法,其特征是用熔融吹塑成膜工艺。

9、如权利要求1,2,3,4,5或6所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是可用作农作物复盖地膜。

10、如权利要求1,2,3,4,5或6所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是可用作包装材料。

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