[发明专利]光降解聚乙烯薄膜及其用途无效
申请号: | 85100494.6 | 申请日: | 1985-04-01 |
公开(公告)号: | CN1015465B | 公开(公告)日: | 1992-02-12 |
发明(设计)人: | 唐松青;徐思羽;黄根龙;唐大森;李良发;王剑良;丁宏勋;郑炳昌;顾振宗;陈玉书;陶云龙;陶宏;马启正;钟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海有机化学研究所;中国石油化工总公司上海石油化工总厂 |
主分类号: | C08L23/06 | 分类号: | C08L23/06;C08K5/56;A01G13/02 |
代理公司: | 中国科学院上海有机化学研究所专利办公室 | 代理人: | 邬震中,石家荣 |
地址: | 上海市零陵*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光降解 聚乙烯 薄膜 及其 用途 | ||
1、一种含有二茂铁衍生物光敏催化剂的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是含有重量百分数为0.01-0.50%的一种或一种以上分子式为长链取代基二茂铁衍生物的光敏催化剂,式中R1=H或R,R=C7-C11的烯基、除甲酸基外的羧酸基、除甲酸酯基外的羧酸酯基、正辛基或COR11;R11为C4-C10的烯基、除甲酸外的羧酸基或羧酸酯基及正庚基、最佳含量为0.05-0.30%,还可含有微量的光活化剂,薄膜厚度为3-15微米。
2、如权利要求1所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是所述的薄膜最佳厚度为5-10微米。
3、如权利要求1所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是所述的光敏催化剂是正辛基二茂铁。
4、如权利要求1所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是所述的光敏催化剂是γ-二茂铁基丁酸丁酯。
5、如权利要求1所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是所述的光敏催化剂是γ-二茂铁基丁酸。
6、如权利要求1所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是所述的光敏催化剂是正辛酰基二茂铁。
7、如权利要求1所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是所述的光敏催化剂是十一烯酰基二茂铁。
8、如权利要求1,2,3,4,5或6所述的可控光降解聚乙烯薄膜的生产方法,其特征是用熔融吹塑成膜工艺。
9、如权利要求1,2,3,4,5或6所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是可用作农作物复盖地膜。
10、如权利要求1,2,3,4,5或6所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是可用作包装材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海有机化学研究所;中国石油化工总公司上海石油化工总厂,未经中国科学院上海有机化学研究所;中国石油化工总公司上海石油化工总厂许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/85100494.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。