[实用新型]惯性传感器

权利要求书

1.一种惯性传感器，其特征在于，包括MEMS装置(10)和盖体(20)，所述MEMS装置(10)包括MEMS结构(11)和位于所述MEMS结构(11)的端面的第一键合结构(12)，所述盖体(20)包括主体(21)以及位于所述主体(21)的端面的第二键合结构(22)；

所述第一键合结构(12)包括第一介质部(121)和第一金属部(122)，所述第二键合结构(22)包括第二介质部(221)和第二金属部(222)；所述第一金属部(122)嵌入所述第一介质部(121)内，并在所述第一介质部(121)的厚度方向上贯穿所述第一介质部(121)；所述第二金属部(222)嵌入所述第二介质部(221)内，并在所述第二介质部(221)的厚度方向上贯穿所述第二介质部(221)；所述第一介质部(121)与所述第二介质部(221)键合，所述第一金属部(122)与所述第二金属部(222)键合；

所述第一金属部(122)的键合面设置有第一增强结构(1221)，第二金属部(222)的键合面设置有第二增强结构(2221)。

2.如权利要求1所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一金属部(122)和所述第二金属部(222)的材质均为铜。

3.如权利要求2所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一介质部(121)和所述第二介质部(221)的材质均为SiO₂，或者，所述第一介质部(121)和所述第二介质部(221)中一个材质为Si，另一个材质为SiO₂。

4.如权利要求1所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一增强结构(1221)和所述第二增强结构(2221)均为阵列排布的凸起，所述凸起的宽度为0.1～0.5um，所述凸起的高度为10nm～100nm。

5.根据权利要求1所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一键合结构(12)的宽度为第一宽度，所述第一介质部(121)包括远离所述MEMS结构(11)的中心的第一侧表面(1211)，所述第一金属部(122)包括远离所述MEMS结构(11)的中心的第一侧壁(1222)，所述第一侧壁(1222)到所述第一侧表面(1211)的距离为第一距离；

所述第一宽度为所述第一距离的N倍，其中N大于10。

6.根据权利要求5所述的惯性传感器，其特征在于，所述第二键合结构(22)的宽度为第二宽度，所述第二介质部(221)包括远离所述盖体(20)的中心的第二侧表面(2211)，所述第二金属部(222)包括远离所述盖体(20)的中心的第二侧壁(2222)，所述第二侧壁(2222)到所述第二侧表面(2211)的距离为第二距离；

所述第二宽度为所述第二距离的M倍，其中M大于10。

7.如权利要求6所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一宽度和所述第二宽度均在50μm～200μm之内。

8.根据权利要求1所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一金属部(122)为多个，且多个所述第一金属部(122)以阵列的方式排布；所述第二金属部(222)为多个，且多个所述第二金属部(222)以阵列的方式排布。

9.根据权利要求1所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一金属部(122)和所述第二金属部(222)均为环状结构。

10.根据权利要求9所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一金属部(122)为多个，所述第二金属部(222)位多个，多个所述第一金属部(122)同心设置，多个所述第二金属部(222)同心设置。