[实用新型]一种IGBT装配治具有效
申请号: | 202320344617.X | 申请日: | 2023-02-28 |
公开(公告)号: | CN219521956U | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 伍文杰 | 申请(专利权)人: | 无锡捷荣精密机械有限公司 |
主分类号: | B25B27/00 | 分类号: | B25B27/00 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 崔婕 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 装配 | ||
本实用新型公开了一种IGBT装配治具,包括:装配支架,所述装配支架用于放置IGBT塑料框架;取放冶具,所述取放冶具包括方形取放框架、弹性件、拉块与夹持块,两块所述拉块平行滑动连接于方形取放框架左右两侧杆上,两个所述拉块的任一一侧均通过弹性件与方形取放框架外侧相连,两个所述拉块与弹性件构成一个方形,任一所述拉块下端均设置有两个夹持块,四个所述夹持块用于夹持IGBT散热板。设计出专用的装配冶具,避免双手触碰到IGBT模块的零件,防止静电损伤模块、避免铜制散热板因为双手的触摸造成氧化,从而增大封装装配后IGBT的质量稳定性,由此可以增加后续使用过程中的使用寿命,减小产品封装装配后的产品故障率。
技术领域
本实用新型涉及IGBT装配技术领域,尤其是一种IGBT装配治具。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT需要进行封装,主要包括IGBT塑料框架支架,用于固定IGBT,还有IGBT散热板,用于IGBT在承载更大电流,对其产生的热量进行散开,减小IGBT的受损,增加使用寿命,但是人工进行装配的过程中,双手触摸到IGBT模块的零件后容易导致静电损伤模块,同时散热板一般为铜制的,双手触摸后会出现氧化问题,导致IGBT造成损伤。
实用新型内容
为了解决现有技术中人工装配的双手容易导致损伤IGBT内部模块与容易导致铜制散热板氧化的问题,本实用新型提供了一种IGBT装配治具。
本实用新型的技术方案为:一种IGBT装配治具,包括:
装配支架,所述装配支架用于放置IGBT塑料框架;
取放冶具,所述取放冶具包括方形取放框架、弹性件、拉块与夹持块,两块所述拉块平行滑动连接于方形取放框架左右两侧杆上,两个所述拉块的任一一侧均通过弹性件与方形取放框架外侧相连,两个所述拉块与弹性件构成一个方形,任一所述拉块下端均设置有两个夹持块,四个所述夹持块用于夹持IGBT散热板。
作为上述技术方案的进一步改进:
优选地,所述夹持块呈L型状,四个L型所述夹持块构成一个方形。
优选地,所述夹持块下端呈斜坡状并在斜坡底部设置有卡槽。
优选地,所述方形取放框架前后两侧杆与拉块上分别设置有把手与弹簧拉手。
优选地,所述弹性件为复位弹簧,所述方形取放框任一侧的两个弹性件一端均与方形取放框的外侧凸起相连,呈一条直线。
优选地,所述装配支架包括底座与通过支撑杆出自己设置于底座上端的框架支座。
优选地,所述框架支座上端设置有多个与IGBT塑料框架相匹配的框架定位孔,用于对IGBT塑料框架进行定位与限位固定。
优选地,所述框架支座上端设置有多个与IGBT散热板相匹配的散热板定位柱,用于装配过程中对IGBT散热板进行定位装配。
优选地,所述底座上设置有防呆杆。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:
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