[实用新型]一种小型同轴光电探测器有效
申请号: | 202320242752.3 | 申请日: | 2023-02-16 |
公开(公告)号: | CN219267662U | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 冯印德;李彬;牛玉秀;黄杰丛;李喜;谭曼 | 申请(专利权)人: | 武汉光迅科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/102 |
代理公司: | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人: | 何婷 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 小型 同轴 光电 探测器 | ||
本实用新型涉及光电探测技术领域,尤其涉及一种小型同轴光电探测器。包括TO底座、TO帽和光电二极管芯片,其中,TO底座包括第一引脚、第二引脚和底座载体;光电二极管芯片分别与第一引脚和第二引脚电性连接;TO帽设置在TO底座上,形成第一腔体;第一引脚设置在底座载体中心的轴线上,位于第一腔体内的第一引脚端部设置有第一凸台,光电二极管芯片设置在第一凸台上;第二引脚设置在底座载体的边沿,第一引脚与第二引脚的直径不同,可以很轻易的识别出第一引脚和第二引脚的位置和直径,以避免造成光电探测器反接烧毁的风险。本实用新型的第一引脚和第二引脚的直径和位置设置得不同,避免操作过程中光电探测器的P、N电极引脚插反,导致烧毁的风险。
技术领域
本实用新型涉及光电探测技术领域,尤其涉及一种小型同轴光电探测器。
背景技术
随着光纤通信、光纤传感、光仪器仪表等领域的迅速发展,对小型化光电探测器需求日渐增强。其中,基于半导体技术的InGaAs、GaAs、Si光电二极管芯片由于成本低、体积小易于工程化应用,已获得广泛应用。为满足高密度的光纤通信系统、仪器仪表、光纤传感、EDFA(Erbium Doped Fiber Amplifier,掺铒光纤放大器)光模块等小型化的需求,对光电探测器的体积提出了更高的需求。目前采用常规TO46封装的光电探测器已无法满足系统小型化的需求,采用TO18、TO25等封装的小型光电探测器,生产中存在组装工艺复杂、可靠性差等一系列问题,且现有的结构设计对产品的工艺适应性较差,最终产品的体积偏大,客户端需要预留更多的空间,特别是对于需要密集排列应用的设备、模块等,光电探测器占用空间过大,不利于产品的小型化设计应用。除此之外,目前常规的光电探测器从TO底座内引出的两个引脚,两个引脚对称设置,并且两个引脚的直径相同。一方面,引脚的直径相同,在识别时,极易造成P电极与N电极的识别混淆,另一方面,在对探测器进行组装时,特别是引脚剪切平整后,很难识别光电探测器的P电极或N电极,从而造成生产操作过程中光电探测器的P、N电极引脚插反,导致供电错位烧毁,甚至造成击穿光电二极管芯片的风险,进一步地,两个引脚均偏离中心位置,预留给光电二极管芯片的位置较小,在有效的空间内不能容纳更大的光电二极管芯片。
鉴于此,克服该现有技术所存在的缺陷是本技术领域亟待解决的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于如何克服现有光电探测器TO底座内引脚的因对称并直径相同所造成识别混淆,最终导致光电探测器的P、N电极引脚插反以及个引脚均偏离中心位置,预留给光电二极管芯片的位置较小,在有效的空间内不能容纳更大的光电二极管芯片的问题。
本实用新型是这样实现的:
本实用新型提供一种小型同轴光电探测器,包括TO底座1、TO帽2和光电二极管芯片3,其中,所述TO底座1包括第一引脚11、第二引脚12和底座载体13;
所述光电二极管芯片3两个电极分别与所述第一引脚11和第二引脚12电性连接;
所述TO帽2设置在所述TO底座1上,以形成密封的第一腔体4;所述第一引脚11贯穿的设置在所述底座载体13中心的轴线上,所述第一引脚11的端部设置有第一凸台14,所述光电二极管芯片3设置在所述第一凸台14上;
所述第二引脚12设置在所述底座载体13的边沿上,并且所述第一引脚11的直径与所述第二引脚12的直径不同,通过对第一引脚11和第二引脚12的识别,以避免造成光电探测器反接烧毁的风险。
优选的,还包括光纤5、管体6和陶瓷插芯7;
所述光纤5设置在所述陶瓷插芯7内,所述管体6的一端套接陶瓷插芯7上,所述管体6的另一端套接在所述TO帽2上,并且所述管体6的另一端的端面与所述TO底座1连接;
所述光纤5、所述陶瓷插芯7和所述光电二极管芯片3位于同一轴线上,以便于缩小光电探测器的体积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的