[实用新型]一种晶圆有效
| 申请号： | 202320140345.1 | 申请日： | 2023-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN219163326U | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王文浩 | 申请（专利权）人： | 苏州众行汇创科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/302;B41J2/01;B41J3/407 |
| 代理公司： | 上海弼升知识产权代理有限公司 31347 | 代理人： | 袁红 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 | ||
1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆的表面设有一贯穿通道；
所述贯穿通道从所述晶圆的第一表面贯通至所述晶圆的第二表面，且沿所述晶圆的厚度方向设有第一通道和第二通道；其中，
所述第一通道的横截面为矩形或梯形；
自所述第一通道至所述第二表面，所述第二通道的横截面为等宽或由窄变宽的形状。
2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述梯形的下底边设于所述晶圆的第一表面上。
3.如权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述梯形的腰与所述第一表面的夹角为40～70°。
4.如权利要求3所述的晶圆，其特征在于，所述梯形的腰与所述第一表面的夹角为54.74°。
5.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述第二通道的横截面呈抛物线状或方形状；
其中，所述抛物线状的下宽度为500μm。
6.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述贯穿通道沿所述晶圆的厚度方向还包括一过渡区，所述过渡区位于所述第一通道和所述第二通道之间。
7.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆为2寸晶圆、4寸晶圆、6寸晶圆、8寸晶圆或12寸晶圆。
8.如权利要求7所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆满足以下任一条件：
①当晶圆为2寸晶圆时，所述贯穿通道的高度a为275μm；
②当晶圆为4寸晶圆时，所述贯穿通道的高度a为525μm；
③当晶圆为6寸晶圆时，所述贯穿通道的高度a为675μm；
④当晶圆为8寸晶圆时，所述贯穿通道的高度a为725μm；
⑤当晶圆为12寸晶圆时，所述贯穿通道的高度a为775μm。
9.如权利要求8所述的晶圆，其特征在于，
在所述晶圆的厚度方向上，所述第一通道的高度记为a1，所述第二通道的高度记为a2；a1小于a2；其中，
当晶圆为6寸晶圆时，所述a1小于150μm，但不为0；
当晶圆为6寸晶圆时，所述a2为525～675μm，但不为525μm或675μm。
10.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆为单晶硅片；
所述矩形的宽度为100μm-500μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
