[实用新型]一种站所终端保护出口电路及站所终端有效
申请号: | 202320049640.6 | 申请日: | 2023-01-05 |
公开(公告)号: | CN219420373U | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 钟志远;陈锋超;邵松杰;赵晓惠;王建伟;王高海;王天刚;杨保林;王涛;张恩东;孙鹏;张鑫;侯童译 | 申请(专利权)人: | 东方电子股份有限公司 |
主分类号: | H02J13/00 | 分类号: | H02J13/00;H02H7/26 |
代理公司: | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 | 代理人: | 金丽丽 |
地址: | 264000 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 终端 保护 出口 电路 | ||
1.一种站所终端保护出口电路,其特征在于,所述电路包括本地/远方选择回路、手动合闸回路、手动分闸回路、合闸继电器、分闸继电器和外部电闸开关;
所述本地/远方选择回路包括本地/远方选择开关、第一光耦、第一三极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管、第一电阻、第二电阻和第三电阻;所述第一光耦的阳极连接本地/远方选择开关和第三电阻,所述第一光耦的阴极连接第一电源负极,所述第一光耦的发射极接地,所述第一光耦的集电极接入第一电阻的一端和第四电阻的一端,所述第一电阻的另一端连接第二电源,所述第四电阻连接第一三极管的基极,所述第一三极管的发射极接地,所述第一三极管的集电极连接第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端连接金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极,所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极接入第二电源,所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极分别连接手动合闸回路的第二二极管、手动分闸回路的第三二极管;
所述手动合闸回路包括手动合闸选择开关、第二光耦、第三光耦、第二二极管、第五电阻、第六电阻、第七电阻;所述手动合闸选择开关的一端接入第一电源的正极,另一端连接第六电阻,所述第六电阻的另一端分别连接第二光耦的阳极和第三光耦的阳极,所述第二光耦的阴极接入第一电源的负极,所述第二光耦的集电极连接第五电阻的一端并输出手动合闸遥信信号,所述第五电阻的另一端接入第三电源;所述第三光耦的阴极接入第一电源的负极,所述第三光耦的集电极连接第七电阻的一端,所述第七电阻的另一端连接第二三极管的基极,所述第二三极管的发射极与所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接,所述第二三极管的集电极与合闸继电器连接,所述合闸继电器与外部电闸开关第一端连接;
所述手动分闸回路包括手动分闸选择开关、第四光耦、第五光耦、第三三极管、第八电阻、第九电阻、第十电阻;所述手动分闸选择开关的一端接入第一电源的正极,另一端连接第九电阻,所述第九电阻的另一端分别连接第四光耦的阳极和第五光耦的阳极,所述第四光耦的阴极接入第一电源的负极,所述第四光耦的集电极连接第八电阻的一端并输出手动分闸遥信信号,所述第八电阻的另一端接入第三电源;所述第五光耦的阴极接入第一电源的负极,所述第五光耦的集电极连接第十电阻的一端,所述第十电阻的另一端连接第三三极管的基极,所述第三三极管的发射极与所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接,所述第三三极管的集电极与分闸继电器连接,所述分闸继电器与外部电闸开关第二端连接;
所述第一三极管为NPN型,所述第二三极管、第三三极管为PNP型。
2.根据权利要求1所述的一种站所终端保护出口电路,其特征在于,所述本地/远方选择开关的远方端与第一电源正极连接,所述本地/远方选择开关的本地端与第一电源负极连接。
3.根据权利要求1所述的一种站所终端保护出口电路,其特征在于,所述外部电闸开关包括合闸线圈和分闸线圈,所述合闸线圈与合闸继电器连接,所述分闸线圈与分闸继电器连接。
4.根据权利要求3所述的一种站所终端保护出口电路,其特征在于,还包括第一压板和第二压板,第一压板设于合闸继电器与合闸线圈之间,第二压板设于分闸继电器与分闸线圈之间。
5.根据权利要求4所述的一种站所终端保护出口电路,其特征在于,第一电源的电压为直流24V,所述第二电源为5V,所述第三电源为3.3V。
6.根据权利要求3所述的一种站所终端保护出口电路,其特征在于,本地/远方选择开关的型号为LA39-E22XF/k,合闸按钮SH的型号为LA38-11/12C,分闸按钮SF的型号为LA38-11/12C。
7.根据权利要求3所述的一种站所终端保护出口电路,其特征在于,所述第一光耦、第二光耦、第三光耦、第四光耦、第五光耦的型号为LTV-356T-B。
8.根据权利要求3所述的一种站所终端保护出口电路,其特征在于,所述合闸继电器、分闸继电器的型号为FTR-K3AB005W-PV。
9.一种站所终端,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的站所终端保护出口电路。
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