[发明专利]一种降低WIC超导线材结合力的方法

说明书

本发明属于超导材料加工技术领域，公开了一种降低WIC超导线材结合力的方法，该方法包括获取待加工件；准备至少3块镶嵌后宽边和窄边尺寸均比镶嵌焊接工艺要求尺寸大5~15μm的镶嵌模具，将待加工件先浸入锡槽，然后进行镶嵌焊接，镶嵌模具分别镶嵌焊接50m样品，获得镶嵌样品，根据镶嵌样品的铜槽线对圆线的包覆角度大小，确定第二镶嵌模具；将待加工件先浸入锡槽，然后进行镶嵌焊接和冷加工，进行50m镶嵌焊接，镶嵌焊接和冷加工两步成型，获得样品B。由于镶嵌样品冷却后铜槽线变硬，再过冷加工模具时，力基本无法传送至铜槽线内壁，铜槽线包覆到圆线上的角度仍较小，从而达到减小WIC超导线材结合力的目的。

技术领域

本发明涉及超导材料加工技术领域，具体为一种降低WIC超导线材结合力的方法。

背景技术

磁共振成像（MRI）是重要的现代医学影像诊疗手段，其核心和基础是NbTi超导线材，其中Wireinchannel（WIC）超导线材因具有高铜超比、低的铜加工率等优点，使其加工成本低且制备的磁体运行稳定、安全，故成为制备磁共振成像系统（MRI）关键部件-超导磁体的主导材料。由于MRI超导磁体是由多个子线圈组成的，线圈之间是通过引线接头连接的，而制作接头时需将嵌套结构的WIC超导线材外部铜槽线剥离，若铜槽线与圆线间结合力太大，剥离过程中可能导致圆线损伤，使近邻的两个线圈无法正常通电，因此亟需一种降低WIC超导线材结合力的方法。

现有技术是通过增加铜槽线原料壁厚，实现减小铜槽线对圆线的包覆角度，基本可以获得结合力较小的线材，但对于高载流低铜比的WIC超导线材，若继续增加铜槽线壁厚，NbTi/Cu圆线的铜比将会非常小，无法加工，对于高载流低铜比的WIC超导线材，由于铜槽线两侧壁厚较薄，采用现有的工艺镶嵌模具一步成型过程为：铜槽线经过高温焊锡变软，在加工率偏大的条件下穿过镶嵌模具，力很容易传送至铜槽线内壁，使铜槽线包覆到圆线上的角度较大，导致槽线与圆线间结合力偏大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种降低WIC超导线材结合力的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种降低WIC超导线材结合力的方法，包括以下步骤：

获取待加工件；

准备至少3块镶嵌后宽边和窄边尺寸均比镶嵌焊接工艺要求尺寸大5~15μm的镶嵌模具，将待加工件先浸入锡槽，然后依次穿过镶嵌模具、冷却水、牵引机、测径仪和收线机，镶嵌模具分别镶嵌焊接50m样品，获得镶嵌样品，根据镶嵌样品的铜槽线对圆线的包覆角度大小，确定第二镶嵌模具；

将待加工件先浸入锡槽，然后依次穿过第二镶嵌模具、冷却水、冷加工成型模具、牵引机、测径仪和收线机，进行50m镶嵌焊接，镶嵌焊接和冷加工两步成型，获得样品B。

进一步优选地，所述待加工件包括NbTi/Cu圆线和铜槽线。

进一步优选地，所述将待加工件先浸入锡槽，然后依次穿过第二镶嵌模具、冷却水、冷加工成型模具、牵引机、测径仪和收线机，进行50m镶嵌焊接时，镶嵌焊接的温度为400~500℃。

进一步优选地，所述镶嵌样品的铜槽线对圆线的包覆角度为：对镶嵌样品的金相截面中圆线外缘画圆，并在镶嵌样品的水平方向直径，沟槽处圆与铜槽线交点和圆与直径的交点画弦，所得到的弦切角为铜槽线对圆线的包覆角度。

进一步优选地，所述根据镶嵌样品的铜槽线对圆线的包覆角度大小，确定第二镶嵌模具时，镶嵌样品的铜槽线对圆线的包覆角度小于10°，且所述镶嵌样品的尺寸最小。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：