[发明专利]射频半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种射频半导体器件，其特征在于，包括：

第一掺杂类型的衬底，所述衬底包括第一表面，所述第一表面上设置有所述第一掺杂类型的外延层；

设置在所述外延层内的所述第一掺杂类型的阱区；

与所述阱区接触设置的所述第一掺杂类型的掺杂区；

设置在所述掺杂区远离所述阱区一侧，且与所述掺杂区接触的接地金属结构；

在垂直于所述衬底的方向上，所述掺杂区的长度大于等于所述外延层的长度，且小于等于所述衬底的长度与所述外延层的长度之和。

2.根据权利要求1所述的射频半导体器件，其特征在于，所述射频半导体器件还包括：

设置在所述外延层远离所述衬底一侧的氧化层；

设置在所述氧化层内的栅极结构，所述栅极结构与所述外延层间隔设置；

设置在所述外延层内，且与所述栅极结构和所述阱区均间隔设置的第一掺杂类型的沟道区。

3.根据权利要求2所述的射频半导体器件，其特征在于，所述接地金属结构包括第一接地金属结构和第二接地金属结构；

在平行于所述衬底的方向上，所述第一接地金属结构的长度大于所述第二接地金属结构的长度，所述掺杂区的长度大于等于所述第二接地金属结构的长度，且小于等于所述第一接地金属结构与所述栅极结构之间的距离。

4.根据权利要求1所述的射频半导体器件，其特征在于，所述掺杂区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。

5.根据权利要求2所述的射频半导体器件，其特征在于，所述射频半导体器件还包括：

设置在所述外延层内的第二掺杂类型的漂移区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；

设置在所述漂移区内的所述第二掺杂类型的第一欧姆接触区；

与所述接地金属结构和所述沟道区均接触设置的所述第一掺杂类型的第二欧姆接触区；

设置在所述第二欧姆接触区和所述沟道区之间，且与所述第二欧姆接触区和所述沟道区均接触设置的所述第二掺杂类型的第三欧姆接触区。

6.根据权利要求5所述的射频半导体器件，其特征在于，所述射频半导体器件还包括：

设置在所述第一欧姆接触区远离所述衬底一侧，且与所述第一欧姆接触区接触的第一金属硅化物；

设置在所述第二欧姆接触区远离所述衬底一侧，且与所述第二欧姆接触区和所述第三欧姆接触区均接触的第二金属硅化物；

设置在所述氧化层内，且与所述接地金属结构接触设置的第一金属层；

设置在所述第一金属层远离所述衬底一侧的第二金属层和第三金属层，所述第一金属层通过第一通孔与所述第二金属层连接，所述第二金属层通过第二通孔与所述第三金属层连接；

其中，所述第一金属硅化物通过源极通孔金属与所述第一金属层连接，所述第二金属硅化物通过漏极通孔金属与所述第一金属层连接。

7.一种射频半导体器件制作方法，其特征在于，包括：

提供第一掺杂类型的衬底，所述衬底包括第一表面，所述第一表面上设置有所述第一掺杂类型的外延层；

在所述外延层内形成所述第一掺杂类型的阱区；

形成与所述阱区接触设置的所述第一掺杂类型的掺杂区；

在所述掺杂区远离所述阱区的一侧，形成与所述掺杂区接触的接地金属结构；

在垂直于所述衬底的方向上，所述掺杂区的长度大于等于所述外延层的长度，且小于等于所述衬底的长度与所述外延层的长度之和。

8.根据权利要求7所述的射频半导体器件制作方法，其特征在于，所述形成与所述阱区接触设置的所述第一掺杂类型的掺杂区，包括：

在所述阱区的一侧注入第一掺杂类型的杂质，以形成与所述阱区接触设置的所述第一掺杂类型的掺杂区。