[发明专利]一种PbSb共掺杂BiCuSeO基热电材料及其制备方法

权利要求书

1.一种PbSb共掺杂BiCuSeO基热电材料及其制备方法，其特征包括以下步骤：

（1）固相烧结工艺：依据Bi_0.94-xPb_0.06Sb_xCuSeO (0≤x≤0.035)的化学计量比称量Bi₂O₃、Bi、Cu、Se、Pb、Sb粉，放入玛瑙研钵中混合均匀，将混合粉末装入石英管中，抽真空并进行高温封管，将石英管放入马弗炉中进行高温固相反应，温度程序为：室温下经过0.5~2 h升温至200~400 ℃，保温10~14 h后，再经过1~3 h升温至600~800 ℃，在该温度下保温8~10 h后，随后以2 ℃/min的降温速度降至室温；

（2）快速热压工艺：将（1）中所获的铸锭样品放入玛瑙研钵中手动研磨至粉末状，然后装入石墨模具中，利用快速热压工艺在60~80 MPa、500~700 ℃下真空热压20~40 min，制得高致密度的Bi_0.94-xPb_0.06Sb_xCuSeO块体热电材料。

2.根据权利要求1所述的一种PbSb共掺杂BiCuSeO基热电材料及制备方法，其特征在于，所制备的Bi_0.94-xPb_0.06Sb_xCuSeO热电材料，其中掺杂量x=0.015的样品性能最佳，Bi_0.925Pb_0.06Sb_0.015CuSeO样品在298 K～873 K范围的热导率为1.03 W m^-1 K^-1～0.62 W m^-1 K^-1，电导率为48500 S m^-1～14700 S m^-1，塞贝克系数为142 μV K^-1～243 μV K^-1，最终ZT值为0.29～1.23。