[发明专利]电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种电容器，其特征在于，包括：

衬底；

沟槽电容，至少位于所述衬底内部，所述沟槽电容包括依次层叠的第一下电极、第一介电层、第一上电极；

至少一平板电容，位于所述衬底表面，所述平板电容包括依次层叠的第二下电极、第二介电层、第二上电极，所述第一下电极与所述第二下电极同层且电连接；

第一隔离结构，设置在所述沟槽电容与所述平板电容之间，并绝缘隔离所述第一上电极与所述第二上电极。

2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述平板电容覆盖所述衬底部分表面的边缘或角落。

3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一隔离结构包括第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层侧表面的第一隔离层。

4.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，还包括：

第一连接结构，与所述第一下电极及所述第二下电极电连接；

第二连接结构，与所述第一上电极电连接；

第三连接结构，与所述第二上电极电连接。

5.根据权利要求4所述的电容器，其特征在于，还包括支撑层，所述支撑层覆盖所述第一上电极、所述第二上电极的表面；所述第一连接结构、所述第二连接结构、所述第三连接结构、所述第一隔离结构设置于所述支撑层中。

6.根据权利要求5所述的电容器，其特征在于，还包括第二隔离结构，所述第二隔离结构设置在所述第一连接结构侧表面与所述支撑层之间、所述第一连接结构侧表面与所述第一上电极之间、所述第二连接结构侧表面与所述支撑层之间、以及所述第三连接结构侧表面与所述支撑层之间。

7.根据权利要求4所述的电容器，其特征在于，所述第三连接结构在平行于所述衬底表面的平面上的横截面积小于所述第一连接结构在平行于所述衬底表面的平面上的横截面积和/或所述第二连接结构在平行于所述衬底表面的平面上的横截面积。

8.根据权利要求1～7任意一项所述的电容器，其特征在于，所述平板电容为多个，且多个所述平板电容的所述第二上电极之间以及每一所述平板电容的第二上电极与所述沟槽电容的第一上电极之间均设置有所述第一隔离结构。

9.一种电容器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底内及表面设置有一初始沟槽电容，所述初始沟槽电容包括依次堆叠的下电极材料层、介电材料层、上电极材料层、支撑层；在所述衬底表面形成第一隔离结构，所述第一隔离结构至少贯穿所述支撑层及所述上电极材料层，并将所述上电极材料层绝缘分隔为第一上电极及第二上电极，以在所述第一隔离结构的一侧形成沟槽电容，另一侧形成平板电容。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述衬底表面形成第一隔离结构的步骤进一步包括如下步骤：

刻蚀所述支撑层及所述上电极材料层，形成隔离沟槽，以限定沟槽电容区域和平板电容区域，所述隔离沟槽暴露出所述介电材料层或所述下电极材料层；

在所述隔离沟槽侧壁形成第一隔离层；

在所述隔离沟槽内填充绝缘材料，形成第一绝缘层，所述第一隔离层与所述第一绝缘层共同作为所述第一隔离结构。