[发明专利]一种TOPCon电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种TOPCon电池结构，包括单晶硅片(1)，依次设置在单晶硅片(1)正面的扩散层(2)、钝化层(3)、正面减反射层(4)、正面金属电极(5)，以及依次设置在单晶硅片(1)背面的隧穿层(6)、掺杂多晶硅层(7)、背面减反射层(8)和背面金属电极(9)，其特征在于，所述掺杂多晶硅层(7)包括位于背面金属区下方的第一掺杂多晶硅层(7-1)和位于背面非金属区下方的第二掺杂多晶硅层(7-2)；

所述第一掺杂多晶硅层(7-1)为设置在绒面上的磷掺杂的多晶硅层，厚度100-150nm，掺杂浓度不低于1e20cm^-3；所述第二掺杂多晶硅层(7-2)为设置在抛光面上的磷掺杂的多晶硅层，厚度100-150nm，掺杂浓度不低于1e20cm^-3。

2.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池结构，其特征在于：所述单晶硅片(1)为磷掺杂N型单晶硅片，电阻率0.1-10Ωcm，厚度150-200um。

3.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池结构，其特征在于：所述扩散层(2)为硼掺杂形成的P型掺杂层，方阻100-300Ω/□，采用纯氢和乙硼烷作为硼前体掺杂形成的。

4.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池结构，其特征在于：所述钝化层(3)为氧化铝，厚度在2-6nm，采用ALD沉积获得。

5.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池结构，其特征在于：所述正面减反射层(4)和背面减反射层(8)均为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中一种或多种组成的复合膜，总厚度70-120nm，综合折射率1.9-2.1。

6.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池结构，其特征在于：所述正面金属电极(5)为Ag/Al栅线电极，所述背面金属电极(9)为Ag栅线电极。

7.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池结构，其特征在于：所述隧穿层(6)为氧化硅，厚度在1-2nm，采用热氧化、湿化学氧化、臭氧氧化、等离子氧化形成。