[发明专利]背接触太阳能电池的电极结构、电池及其组件和光伏系统在审
| 申请号: | 202310580272.2 | 申请日: | 2023-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN116544287A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
| 发明(设计)人: | 陈刚;王永谦;杨新强 | 申请(专利权)人: | 广东爱旭科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京市天元律师事务所 16010 | 代理人: | 夏智海 |
| 地址: | 528000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 接触 太阳能电池 电极 结构 电池 及其 组件 系统 | ||
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种背接触太阳能电池的电极结构、电池及其组件和光伏系统,电极结构的若干第一副栅电极包括第一收集栅线电极和第一连接栅线电极,第一收集栅线电极连接第一主栅电极且在第二主栅电极处断开,第一连接栅线电极贯穿相邻两根第一主栅电极之间的第二主栅电极以连接相邻的两根第一主栅电极。如此,第一连接栅线电极贯穿第二主栅电极将相邻的第一主栅电极相连,使得所有的第一主栅电极并联成一个整体,使其电性能更加均匀化,焊接后的背接触太阳能电池可成为一个电性能均匀化的整体,进而改善组件在进行EL测试时背接触太阳能电池中的EL条状、块状发黑现象,有效的避免背接触电池组件失配,提高组件的功率。
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种背接触太阳能电池的电极结构、电池及其组件和光伏系统。
背景技术
背接触太阳能电池是一种将发射极和基极接触电极均放置在电池背面(非受光面)的电池,该电池的受光面无任何金属电极遮挡,从而有效增加了电池片的短路电流。
在相关技术中,在背接触太阳能电池的背面电极图形的设计中,通常采用细栅连接同极性的主栅并且在异性主栅处断开设计,例如,正极细栅在负极主栅电极处断开,负极细栅则在正极主栅电极处断开。然而,在这样的设计中,由于细栅在异性主栅电极处断开,背接触太阳能电池的整个电池区会被分为几乎不相联的条状独立电池区域,这样会导致最终成品组件的EL测试图中电池片会表现出黑条状和黑块状的不均匀,导致组件失配而降低组件的功率。
发明内容
本申请提供一种背接触太阳能电池的电极结构、电池及其组件和光伏系统,旨在解决现有背接触太阳能电池的成品组件的EL测试图中电池片会表现出黑条状和黑块状的不均匀,导致组件失配而降低组件的功率的技术问题。
本申请是这样实现的,本申请实施例的背接触太阳能电池的电极结构用于背接触太阳能电池所述背接触太阳能电池包括交替设置的第一极性区域和第二极性区域,所述电极结构包括:
间隔交替设置的若干第一副栅电极和若干第二副栅电极,所述第一副栅电极用于收集所述第一极性区域的电流,所述第二副栅电极用于收集所述第二极性区域的电流;和
间隔交替设置的若干第一主栅电极和若干第二主栅电极,所述第一主栅电极连接所述第一副栅电极,所述第二主栅电极连接所述第二副栅电极,所述第一主栅电极和所述第二主栅电极的排列方向不同于所述第一副栅电极和所述第二副栅电极的排列方向;
其中,若干所述第一副栅电极包括第一收集栅线电极和第一连接栅线电极,所述第一收集栅线电极连接所述第一主栅电极且在所述第二主栅电极处断开,所述第一连接栅线电极贯穿相邻两根所述第一主栅电极之间的第二主栅电极以连接相邻的两根所述第一主栅电极,使得所有的所述第一主栅电极并联成一个整体;
所述第二主栅电极上形成有第一间隔区域,所述第一连接栅线电极穿设所述第一间隔区域以将相邻两根所述第一主栅电极相连,所述第一连接栅线电极通过所述第一间隔区域与所述第二主栅电极绝缘隔离;
若干所述第二副栅电极包括第二收集栅线电极和第二连接栅线电极,所述第二收集栅线电极连接所述第二主栅电极且在所述第一主栅电极处断开,所述第二连接栅线电极贯穿相邻两根所述第二主栅电极之间的第一主栅电极以连接相邻的两根所述第二主栅电极,使得所有的所述第二主栅电极;
所述第一主栅电极上形成有第二间隔区域,所述第二连接栅线电极穿设所述第二间隔区域以将相邻两根所述第二主栅电极相连,所述第二连接栅线电极通过所述第二间隔区域与所述第一主栅电极绝缘隔离。
更进一步地,所述第一连接栅线电极的数量为多根,多根所述第一连接栅线电极在所述背接触太阳能电池上沿所述第一副栅电极和所述第二副栅电极的排列方向间隔设置。
更进一步地,所述第一连接栅线电极的宽度为80um-1.5mm;和/或
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





