[发明专利]一种高导热绝缘电路涂料及其制备方法

权利要求书

1.一种高导热绝缘电路涂料的制备方法，其特征在于：

具体包括如下步骤：将复合导热填料、改性有机硅树脂预聚体和丁酮溶液，先进行超声处理，完成后再加入光引发剂和活性胺，采用行星式混合机进行公转和自转，进行搅拌和脱泡，制得高导热绝缘电路涂料；

所述的改性有机硅树脂预聚体和复合导热填料的质量比为1:0.46，改性有机硅树脂预聚体、光引发剂和活性胺的质量比为1:0.03:0.02；

所述的复合导热填料由如下步骤制成；

步骤A1：将蒙脱土、3-氨基丙基三乙氧基硅烷和甲苯混合，在氮气气氛中搅拌反应，冷却后，过滤，并用甲苯洗涤，最后干燥，得到改性蒙脱土；

步骤A2：将γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷和氮化硼纳米片和甲苯混合，在氮气气氛中搅拌反应，冷却之后，过滤，并用甲苯洗涤干燥，得到改性氮化硼纳米片；

步骤A3：将改性氮化硼纳米片、改性蒙脱土和甲苯混合，在超声中处理，完成后，将悬浮液和磷酸三苯酯和吡啶混合，在氮气氛围下，搅拌反应，最后真空泵抽滤，真空干燥，得到复合导热填料。

2.根据权利要求1所述的一种高导热绝缘电路涂料的制备方法，其特征在于：步骤A1所述的蒙脱土、3-氨基丙基三乙氧基硅烷和甲苯的质量比为1:43.1:78.4。

3.根据权利要求1所述的一种高导热绝缘电路涂料的制备方法，其特征在于：步骤A2所述的γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、氮化硼纳米片和甲苯的质量比为1:48.1:87.2。

4.根据权利要求1所述的一种高导热绝缘电路涂料的制备方法，其特征在于：步骤A3所述的改性氮化硼纳米片、改性蒙脱土、甲苯、磷酸三苯酯和吡啶的质量比为1:1.52:2.14:2.75:2.14。

5.根据权利要求书1所述的一种高导热绝缘电路涂料的制备方法，其特征在于：所述的改性有机硅树脂预聚体由如下步骤制成：

步骤B1：将氢氧化钾溶于甲醇中，随后加入三羟基丙烷和碳酸二甲酯，进行反应，随后升温蒸馏出甲醇，等无甲醇蒸出时，再进行减压高温裂解释放出二氧化碳，最后进行精馏，再加入氢氧化钾溶液、甲苯和正四丁基溴化铵并滴加烯丙基溴，搅拌反应，完成后冷却并加水分层，随后对有机层先进行水洗，再通过无水硫酸镁干燥，浓缩，并精馏，得到双官能团氧杂环丁烷；

步骤B2：将石油醚、二乙氧基甲基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、苄基三乙氧基硅烷和三甲基硅烷氯混合，随后缓慢滴加盐酸，搅拌反应，完成后静置分液，有机层水洗，再用无水硫酸钠干燥后过滤，旋转蒸发石油醚，最后在氮气保护条件下，加入三甲基氯硅烷，搅拌反应，冷却后，用饱和碳酸氢钠溶液中和，去离子水洗，干燥，最后减压蒸馏，得到预聚体；

步骤B3：将双官能团氧杂环丁烷与甲苯和1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷铂混合，升温后加入甲苯和预聚体，搅拌反应，结束后再通过旋转蒸发仪除去溶剂，得到改性有机硅树脂预聚体。

6.根据权利要求书5所述的一种高导热绝缘电路涂料的制备方法，其特征在于：步骤B1所述的三羟基丙烷、碳酸二甲酯和氢氧化钾的质量比为1:0.77:0.04，烯丙基溴、甲苯、氢氧化钾和正四丁基溴化铵的质量比为1:1.04:0.04:0.005。

7.根据权利要求书5所述的一种高导热绝缘电路涂料的制备方法，其特征在于：步骤B2所述的二乙氧基甲基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、苄基三乙氧基硅烷、三甲基硅烷氯和盐酸的质量比为1:2.95:26.65:0.085:4.28。

8.根据权利要求书5所述的一种高导热绝缘电路涂料的制备方法，其特征在于：步骤B3所述的双官能团氧杂环丁烷、预聚体、甲苯和1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷铂的质量比为1:1.25:0.42:0.005。

9.一种高导热绝缘电路涂料，其特征在于：根据权利要求1-8任一所述的制备方法制备而成。