[发明专利]一种热阴极电离规的驱动装置在审

专利信息
申请号: 202310563587.6 申请日: 2023-05-18
公开(公告)号: CN116599519A 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 王磊;刘立峰;熊慧;杜春林;王博成;贺良武 申请(专利权)人: 成都睿宝电子科技有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185;H02M1/088;H02M3/04;H02M1/14;H03K7/08;H03K19/003
代理公司: 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 代理人: 徐骥
地址: 610000 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 热阴极 电离 驱动 装置
【权利要求书】:

1.一种热阴极电离规的驱动装置,其特征在于,包括控制模块、SPWM驱动模块、变压模块、滤波输出模块以及反馈模块;

所述控制模块用于向SPWM驱动模块发出SPWM脉冲信号,并实时接收来自于反馈模块的反馈信号,根据反馈模块对SPWM脉冲信号进行调整,以保证输出的热阴极电离规对应的电压稳定;

所述SPWM驱动模块用于接收SPWM脉冲信号,并根据SPWM脉冲信号驱动变压模块工作;

所述变压模块用于受SPWM驱动模块的驱动,将输入电压转换为目标电压,并输出目标电压;

所述滤波输出模块用于将变压模块输出的目标电压进行滤波,并将滤波后的目标电压输出至热阴极电离规;

所述反馈模块用于采集滤波输出模块输出的电流信号,并将该电流信号反馈至控制模块,以形成负反馈控制。

2.根据权利要求1所述的热阴极电离规的驱动装置,其特征在于,所述控制模块包括型号为EG8010的主控芯片U1,且所述主控芯片U1分别与SPWM驱动模块以及反馈模块电性连接。

3.根据权利要求2所述的热阴极电离规的驱动装置,其特征在于,还包括与主控芯片U1配合的最小系统电路,且所述最小系统电路与主控芯片U1电性连接。

4.根据权利要求3所述的热阴极电离规的驱动装置,其特征在于,所述最小系统电路包括接地电容C1、接地电容C2、晶振Y1、发光二极管D10、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29、电容C8以及极性电容C20;

所述主控芯片U1的OSC1引脚分别与接地电容C1以及晶振Y1的一端连接,所述主控芯片U1的OSC2引脚分别与接地电容C2以及晶振Y1的另一端连接,所述主控芯片U1的VREF引脚与5V电压连接,所述主控芯片U1的VVVF引脚、FRQSEL0引脚、FRQSEL1引脚、MODSEL引脚以及SPWMEN引脚均接地,所述主控芯片U1的LEDOUT引脚与发光二极管D10的负极连接,所述发光二极管D10的正极通过电阻R26与5V电压连接,所述主控芯片U1的DT0引脚通过电阻R27与5V电压连接,所述主控芯片U1的DT1引脚通过电阻R28与5V电压连接,所述主控芯片U1的SST引脚通过电阻R29与5V电压连接,所述主控芯片U1的VCC引脚分别与5V电压、接地电容C8以及极性电容C20的正极连接,所述极性电容C20的负极接地。

5.根据权利要求2-4任一所述的热阴极电离规的驱动装置,其特征在于,所述SPWM驱动模块包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3以及场效应晶体管Q4;

所述场效应晶体管Q1的栅极、场效应晶体管Q2的栅极、场效应晶体管Q3的栅极以及场效应晶体管Q4的栅极分别与主控芯片U1的SPWMOUT1引脚、SPWMOUT2引脚、SPWMOUT3引脚以及SPWMOUT4引脚一一对应连接,所述场效应晶体管Q1的漏极以及场效应晶体管Q2的漏极均与24V直流电源连接,所述场效应晶体管Q1的源极分别与场效应晶体管Q4的漏极以及变压模块连接,所述场效应晶体管Q2的源极分别与场效应晶体管Q3的漏极以及变压模块连接,所述场效应晶体管Q3的源极以及场效应晶体管Q4的源极均接地。

6.根据权利要求5任一所述的热阴极电离规的驱动装置,其特征在于,所述场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3以及场效应晶体管Q4所采用的型号相同,且均为IRF640。

7.根据权利要求5任一所述的热阴极电离规的驱动装置,其特征在于,所述变压模块包括型号为EER28的变压器PT1,所述变压器PT1的第1引脚与场效应晶体管Q1的源极连接,所述变压器PT1的第4引脚与场效应晶体管Q2的源极连接,所述变压器PT1的第2引脚以及第3引脚均与24V电压连接,所述变压器PT1的第9引脚以及第12引脚均与滤波输出模块电性连接。

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