[发明专利]一种变压器的涡流损耗计算方法、存储介质及设备

权利要求书

1.一种变压器的涡流损耗计算方法，其特征在于，所述方法包括：

获取目标变压器的基础数据，并根据所述基础数据构建所述目标变压器的单相三维磁场模型；

根据所述单相三维磁场模型分别计算所述目标变压器的线圈中每饼的平均漏磁强度；

根据所述线圈中每饼的平均漏磁强度分别构造所述线圈中每饼的涡流损耗权函数；

根据所述目标变压器的设计计算单和所述线圈中每饼的涡流损耗权函数分别计算所述线圈中每饼的涡流损耗。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述线圈包括高压线圈和低压线圈，所述高压线圈包括A相高压线圈、B相高压线圈和C相高压线圈，所述低压线圈包括A相低压线圈、B相低压线圈和C相低压线圈；

所述根据所述单相三维磁场模型分别计算所述目标变压器的线圈中每饼的平均漏磁强度，包括：

利用以下公式分别计算所述A相高压线圈中每饼的平均漏磁强度、所述B相高压线圈中每饼的平均漏磁强度和所述C相高压线圈中每饼的平均漏磁强度：

利用以下公式分别计算所述A相低压线圈中每饼的平均漏磁强度、所述B相低压线圈中每饼的平均漏磁强度和所述C相低压线圈中每饼的平均漏磁强度：

其中，B_{A,i,H_avg}为所述A相高压线圈中第i饼的平均漏磁强度，B_A,i,H(x₁,y₁,z₁)为所述A相高压线圈中第i饼在所述单相三维磁场模型中的坐标点(x₁,y₁,z₁)的漏磁强度，dV_A,i,H为所述A相高压线圈中第i饼的微体积元，B_B,i,H(x₂,y₂,z₂)为所述B相高压线圈中第_i饼在所述单相三维磁场模型中的坐标点(x₂,y₂,z₂)的漏磁强度，dV_B,i,H为所述B相高压线圈中第i饼的微体积元，B_C,i,H(x₃,y₃,z₃)为所述C相高压线圈中第i饼在所述单相三维磁场模型中的坐标点(x₃,y₃,z₃)的漏磁强度，dV_C,i,H为所述C相高压线圈中第i饼的微体积元，B_{B,i,H_avg}为所述B相高压线圈中第i饼的平均漏磁强度，B_{C,i,H_avg}为所述C相高压线圈中第i饼的平均漏磁强度，B_{A,j,L_avg}为所述A相低压线圈中第j饼的平均漏磁强度，B_A,j,L(x₄,y₄,z₄)为所述A相低压线圈中第j饼在所述单相三维磁场模型中的坐标点(x₄,y₄,z₄)的漏磁强度，dV_A,j,L为所述A相低压线圈中第j饼的微体积元，B_B,j,L(x₅,y₅,z₅)为所述B相低压线圈中第j饼在所述单相三维磁场模型中的坐标点(x₅,y₅,z₅)的漏磁强度，dV_B,j,L为所述B相低压线圈中第j饼的微体积元，B_C,j,L(x₆,y₆,z₆)为所述C相低压线圈中第j饼在所述单相三维磁场模型中的坐标点(x₆,y₆,z₆)的漏磁强度，dV_C,j,L为所述C相低压线圈中第j饼的微体积元，B_{B,j,L_avg}为所述B相低压线圈中第j饼的平均漏磁强度，B_{C,j,L_avg}为所述C相低压线圈中第j饼的平均漏磁强度。