[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，均位于所述硅基底背光侧的第一传输层、第二传输层、第一电极和第二电极；所述硅基底的背光面包括：第一导电区域和第二导电区域；

所述第一传输层、所述第二传输层均包括层叠设置的背面钝化层和掺杂层；所述第一传输层和所述第二传输层中，所述背面钝化层均比所述掺杂层更靠近所述硅基底；所述第一传输层中的第一掺杂层，和所述第二传输层中的第二掺杂层的掺杂类型不同；所述背面钝化层的材料选自：非晶硅、纳米晶硅、微晶硅中的至少一种；

所述第一传输层具有位于所述第一导电区域上的第一部分；所述第二传输层具有位于所述第二导电区域上的第二部分，以及位于所述第一部分上的第三部分；所述第二部分和所述第三部分间隔分布；所述第二导电区域、所述第一部分均被激光照射过；

所述第一电极位于所述第一部分中，除了所述第三部分之外的区域上，所述第二电极位于所述第二部分上。

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第三部分包括：若干个子部分；

所有所述子部分联通为一体；或，所有所述子部分中，至少两个所述子部分联通，至少两个所述子部分间隔分布；或，各个所述子部分均间隔分布。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，相邻的子部分之间的间距：为20微米至500微米。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第三部分，在所述硅基底的背光面的正投影的总面积，占所述硅基底的背光面的总面积的比例为：0.001％至0.5％。

5.根据权利要求1至4中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括：位于所述硅基底的背光侧的绝缘层，所述绝缘层包括：位于所述第一传输层上，所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的第四部分。

6.根据权利要求1至4中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅基底的背光面为绒面结构。

7.根据权利要求1至4中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括：位于所述硅基底的背光侧的透明导电层、依次位于所述硅基底的向光面的正面钝化层和正面减反层，所述透明导电层包括：位于所述第一电极和所述第一部分之间的第五部分，以及位于所述第二电极和所述第二部分之间的第六部分；所述第五部分和所述第六部分间隔设置。

8.一种权利要求1至7中任一所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

提供基材；所述基材包括：硅基底、位于所述硅基底背光侧的第一传输层；所述第一传输层在所述硅基底的背光侧整面设置；所述硅基底的背光面包括：第一导电区域和第二导电区域；

采用光斑交叠的激光，对所述第一传输层进行开膜，使得所述硅基底的第二导电区域裸露，所述第一传输层具有位于所述第一导电区域上的第一部分；

在所述第二导电区域，以及剩余的第一传输层上，形成整面的第二传输层；所述第一传输层、所述第二传输层均包括层叠设置的背面钝化层和掺杂层；所述第一传输层和所述第二传输层中，所述背面钝化层均比所述掺杂层更靠近所述硅基底；所述第一传输层中的第一掺杂层，和所述第二传输层中的第二掺杂层的掺杂类型不同；所述背面钝化层的材料选自：非晶硅、纳米晶硅、微晶硅中的至少一种；

采用光斑不交叠的激光，对所述第二传输层开膜，使得所述第二传输层具有位于所述第二导电区域上的第二部分，以及位于所述第一部分上的第三部分；所述第二部分和所述第三部分间隔分布；

在所述第一部分中，除了所述第三部分之外的区域上，设置第一电极，在所述第二部分上设置第二电极。