[发明专利]一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法及产品

权利要求书

1.一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在氩气环境下，利用磁控溅射，以30-60W的溅射功率溅射10min-3h，将靶材MoNb沉积至Si衬底，得到所述纳米级非晶超导薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法，其特征在于，所述靶材Mo80Nb20纯度高于99.95％，所述衬底为Si(100)。

3.根据权利要求1所述的一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法，其特征在于，所述磁控溅射前还包括靶材预处理和衬底预处理。

4.根据权利要求3所述的一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法，其特征在于，所述靶材预处理包括以下步骤：

打磨所述靶材表面氧化层，再置于无水乙醇和去离子水中超声清洗后干燥。

5.根据权利要求3所述的一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法，其特征在于，所述衬底预处理包括以下步骤：

将所述衬底在无水乙醇和去离子水中超声清洗后干燥。

6.根据权利要求1所述的一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法，其特征在于，所述真空条件为：先利用机械泵抽真空至压力为5Pa以下，再利用分子泵进一步抽真空至压力低于8×10^-4Pa。

7.根据权利要求1或6所述的一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法，其特征在于，所述溅射过程中真空度低于8×10^-4Pa后，通入氩气，氩气气体流量保持在55-65sccm，通过调节分子泵阀门使工作气压保持在0.5Pa-1.2Pa，温度为室温。

8.根据权利要求1所述的一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法，其特征在于，所述溅射前还包括预溅射，所述预溅射时间为30min。

9.一种如权利要求1-6和8任一项所述的利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法制备得到的纳米级非晶超导薄膜。

10.根据权利要求9所述的纳米级非晶超导薄膜，其特征在于，所述纳米级超导薄膜为非晶态结构，厚度为30-900nm；

所述纳米级超导薄膜在低温下存在超导转变现象，且超导转变温度为4.4-5.9K。