[发明专利]一种采用光耦实现高低电平识别的电路在审

专利信息
申请号: 202310517187.1 申请日: 2023-05-09
公开(公告)号: CN116545431A 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 马彪;李飞;姚欣 申请(专利权)人: 嘉晨云控新能源(上海)有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 郑州科维专利代理有限公司 41102 代理人: 李天霞;赵继福
地址: 200020 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用光 实现 高低 电平 识别 电路
【权利要求书】:

1.一种采用光耦实现高低电平识别的电路,其特征在于:包括电阻R1、电阻R2、电阻R4、和光耦OPT1;电阻R1与电源端VDD1连接,电源端VDD1为电阻R1供电,电阻R1的另一端与光耦OPT1的体二极管的阳极连接,再经过光耦OPT1的体二极管的阴极与电阻R4一端连接,光耦OPT1的体二极管的阴极与电阻R4一端的连接点为信号的输入引脚,电阻R4的另一端与接地端GND连接;电源端VCC1与电阻R2一端连接,电阻R2的另一端与光耦OPT1的体三极管的集电极连接,输出电压V2连接到单片机MCU的ADC采样引脚,同时光耦OPT1的体三极管的发射极与接地端GND连接。

2.根据权利要求1所述的采用光耦实现高低电平识别的电路,其特征在于:外部输入引脚处于悬空状态时,电流经电阻R1,光耦OPT1的体二极管、电阻R4流入接地端GND,合理选择R1、R4的值,可以让光耦OPT1处于微导通状态,即光耦OPT1处于线性区,让光耦OPT1的输出电压Vo, OPT1体三极管集电极和发射极的电压Vce的电压介于0与电源端VCC1的电压之间,即输出电压V2的电压介于0与电源端VCC1的电压之间,选择为输出电压V2为0.5*VCC,输出到单片机MCU的ADC采样引脚, 单片机MCU通过AD采样,判断输入电压为介于高电平和低电平之间的电压值。

3.根据权利要求1所述的采用光耦实现高低电平识别的电路,其特征在于:外部输入为高电平时,此时输入电压V1电压高于电源端VDD1,光耦OPT1内的发光二极管截止,光耦OPT1处于截止区,V2电压为电源端VCC1的电压,单片机MCU通过AD采样,判断输入电压为高电平。

4.根据权利要求1所述的采用光耦实现高低电平识别的电路,其特征在于:外部输入为低电平时,即输入电压V1电压为0V,相当于电阻R4被短路到接地端GND,限流电阻等效减小,光耦OPT1内发光二极管电流增加,光耦OPT1处于饱和区,光耦OPT1内的三极管完全导通,输出电压V2的电压接近0V,单片机MCU通过AD采样,判断为输入电压为低电平。

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