[发明专利]太阳能电池、太阳能电池片和光伏组件

说明书

本申请提供一种太阳能电池、太阳能电池片和光伏组件。该太阳能电池包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面，第二表面具有沿第一方向相邻的第一区域和第二区域；第一钝化层，设置于第一表面；第一掺杂层和隧穿氧化层，依次层叠设置于第一区域;第一绝缘层，设置于第一掺杂层远离衬底的表面；第二钝化层，设置于第二区域，且延伸至第一绝缘层远离衬底的表面；以及第二掺杂层，设置于第二钝化层离衬底的表面。本申请的太阳能电池和太阳能电池片使用隧穿氧化层‑掺杂多晶硅层对电池进行钝化，提高了电池的光电转换效率。

技术领域

本申请主要涉及光伏技术领域，具体地涉及一种太阳能电池、太阳能电池片和光伏组件。

背景技术

随着太阳能电池技术的发展，越来越多类型的太阳能电池被研发出来。目前，太阳能电池类型主要包括钝化发射区背接触电池（Passivated Emitter and Rear Contact ,PERC）、隧穿氧化层钝化接触太阳能电池（Tunnel Oxide Passivated Contact, TOPCON）、异质结太阳能电池（Hetero-Junction with Intrinsic Thin Film, HIT）和叉指背接触电池技术（Interdigitated Back Contact, IBC）等等。其中，PERC电池作为当前市场中主流的太阳能电池类型，其量产效率已经接近理论极限。虽然随着太阳能电池技术的发展，太阳能电池的光电转换效率逐渐增加，但市场对更高光电转换效率的追求是永不止步的。

发明内容

本申请要解决的技术问题是提供一种太阳能电池、太阳能电池片和光伏组件，该太阳能电池、太阳能电池片和光伏组件具有较高的光电转换效率。

本申请为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种太阳能电池，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面具有沿第一方向相邻的第一区域和第二区域；第一钝化层，设置于所述第一表面；第一掺杂层和隧穿氧化层，依次层叠设置于所述第一区域；第一绝缘层，设置于所述第一掺杂层远离所述衬底的表面；第二钝化层，设置于所述第二区域，且延伸至所述第一绝缘层远离所述衬底的表面；以及第二掺杂层，设置于所述第二钝化层远离衬底的表面。

在本申请一实施例中还包括：第一透明导电层，设置于所述第二掺杂层远离所述衬底的表面。

在本申请一实施例中还包括：第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一隔离槽和所述第二隔离槽沿所述第一方向间隔设置，且贯穿与所述第一区域对应的第一透明导电层。

在本申请一实施例中还包括：第一栅线和第二栅线，所述第一栅线贯穿所述第一绝缘层，且与所述第一掺杂层接触，所述第二栅线与所述第二区域的第一透明导电层接触，其中，所述第一隔离槽和所述第二隔离槽沿所述第一方向分布在所述第一栅线的两侧。

在本申请一实施例中，所述第一隔离槽深入至所述第一掺杂层远离衬底的表面，和/或所述第二隔离槽深入至所述第一掺杂层远离衬底的表面。

在本申请一实施例中，所述第一隔离槽深入所述第一掺杂层内部，且不贯穿所述第一掺杂层，和/或所述第二隔离槽深入所述第一掺杂层内部，且不贯穿所述第一掺杂层。

在本申请一实施例中还包括：第二绝缘层，沿所述第一方向设置于所述第二钝化层与所述第一掺杂层和所述隧穿氧化层之间，所述第二绝缘层远离衬底的侧面与所述第一绝缘层接触。

在本申请一实施例中，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。

在本申请一实施例中，所述第一区域和所述第二区域在所述衬底的厚度方向上具有高度差。

在本申请一实施例中还包括：第一扩散层，设置于所述第一表面，所述第一钝化层设置于所述第一扩散层远离衬底的表面。

在本申请一实施例中还包括：第二扩散层，设置于所述第一区域，所述第一掺杂层和所述隧穿氧化层依次层叠设置于所述第二扩散层远离衬底的表面。