[发明专利]一种动态导通电阻的测试装置及测试方法有效
申请号: | 202310506411.7 | 申请日: | 2023-05-08 |
公开(公告)号: | CN116223916B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 陈啟钊 | 申请(专利权)人: | 佛山市联动科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R27/08 | 分类号: | G01R27/08;G01R31/26;G01R1/20;H02J1/10;H02H9/02 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 陈刚 |
地址: | 528000 广东省佛山市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 动态 通电 测试 装置 方法 | ||
本发明公开了一种动态导通电阻的测试装置及测试方法,涉及半导体器件测量技术领域,所述测试装置包括第一供能电源、第二供能电源、第一驱动开关单元、第二驱动开关单元与负载电感单元;所述第一供能电源用于为所述负载电感单元充电以及为所述被测器件提供高压应力;所述第二供能电源用于为所述负载电感单元充电;所述第一驱动开关单元串联设置在所述第一供能电源与所述负载电感单元及所述被测器件之间,用于控制所述第一供能电源的电压输出;所述第二驱动开关单元与所述被测器件连接,用于控制所述被测器件的连通状态。所述测试装置及测试方法能够避免电流过冲的问题,实现对动态导通电阻精准测量。
技术领域
本发明涉及半导体器件测量技术领域,具体涉及一种动态导通电阻的测试装置及测试方法。
背景技术
目前市面上的第三代半导体材料GaN(氮化镓)电子器件动态导通电阻测试设备,有电感负载和电阻负载两种类型。因电感负载的测试方式更加接近GaN电子器件的真实工作状态,所以更多情况下使用电感负载的测试设备进行测试。相关技术中,采用电感负载的测试方式多采用单电源供电,电压、电感参数设定后,电感的放电速度不可调,当被测试器件DUT导通时间占空比较大时,电感能量不断积累,会出现电流过冲的问题,导致波形变形、功耗增加,对动态导通电阻测量结果的精准度造成影响。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种动态导通电阻的测试装置及测试方法,能够避免电流过冲的问题,实现对动态导通电阻精准测量。
在一方面,本发明实施例提供了一种动态导通电阻的测试装置,包括第一供能电源、第二供能电源、第一驱动开关单元、第二驱动开关单元与负载电感单元;
所述第一供能电源的正极与所述负载电感单元的第一端以及被测器件的第一端连接,用于为所述负载电感单元充电以及为所述被测器件提供高压应力;
所述第二供能电源的正极与所述负载电感单元的第二端连接,用于为所述负载电感单元充电;
所述第一供能电源的负极、所述第二供能电源的负极以及所述被测器件的第二端接地连接;
所述第一驱动开关单元串联设置在所述第一供能电源与所述负载电感单元及所述被测器件之间,用于控制所述第一供能电源的电压输出;
所述第二驱动开关单元与所述被测器件连接,用于控制所述被测器件的连通状态。
可选的,所述装置还包括设置在所述第一供能电源与所述被测器件之间的电路保护模块;
所述电路保护模块包括第一保护支路与第二保护支路,在所述第一保护支路与所述第二保护支路中均串联设置有至少一个二极管,且所述第一保护支路与所述第二保护支路中的二极管的连通方向相反设置。
可选的,所述负载电感单元包括串联设置的多个电感线圈以及分别与多个所述电感线圈并联设置的多个电感开关。
可选的,所述第一驱动开关单元包括高速MOSFET开关以及相应的驱动控制模块,所述驱动控制模块用于控制所述高速MOSFET开关的通断。
可选的,所述装置还包括第一检测单元与第二检测单元;
所述第一检测单元用于实时检测所述被测器件的电流与电压;
所述第二检测单元用于实时监测所述负载电感单元的电流。
可选的,所述装置还包括分别与所述第一供能电源、所述第二供能电源并联设置的第一电容、第二电容。
在另一方面,本发明实施例提供了一种基于动态导通电阻的测试装置的测试方法,所述方法包括:
设定电路测试参数,并针对所述测试装置设置测试模式,所述测试模式包括硬开关测试模式与软开关测试模式;
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