[发明专利]一种具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法，其特征在于：利用磁控溅射方法在真空条件下，调节氩气氧气混合气比例，在衬底上沉积锡酸钡薄膜，再退火处理锡酸钡薄膜，实现锡酸钡薄膜具备室温下的稀磁特性。

2.根据权利要求1所述具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法，其特征在于：

(1)采用磁控溅射方法在衬底上沉积锡酸钡薄膜；先预溅射去除锡酸钡靶材表面的杂质，然后维持真空度在0.1-10Pa，气体氛围为氩气氧气混合气，衬底温度维持室温，采用磁控溅射法在衬底上沉积锡酸钡薄膜；

(2)真空退火处理锡酸钡薄膜或纯氧大气压力条件下退火处理锡酸钡薄膜，得到具有稀磁特性锡酸钡薄膜。

3.根据权利要求2所述具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)磁控溅射的射频功率为50W，氩气氧气混合气中氧分压占比在0-90％；锡酸钡薄膜厚度50-100nm。

4.根据权利要求2所述具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法，其特征在于：采用真空退火处理锡酸钡薄膜：退火炉中真空度维持在0.1Pa，将锡酸钡薄膜加热到600～1000摄氏度维持0.5～3小时，随炉真空冷却至室温，退火炉充氮气至大气压力后，取出锡酸钡薄膜样品，得到具有稀磁特性锡酸钡薄膜。

5.根据权利要求2所述具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法，其特征在于：纯氧条件退火处理锡酸钡薄膜：将锡酸钡薄膜样品放入退火炉中，先抽真空到入0.1Pa，再通入纯氧达到标准大气压，在纯氧气氛下加热锡酸钡薄膜至600～1000摄氏度，维持0.5～3小时后自然降温，得到具有稀磁特性锡酸钡薄膜。

6.根据权利要求1-5任一项所述方法制备的具有稀磁特性锡酸钡薄膜，其特征在于：所述稀磁特性锡酸钡薄膜的矫顽力为32～34Oe，薄膜剩余磁场在0.01～0.6emu/g。