[发明专利]一种聚苯乙烯基储能电介质材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种聚苯乙烯基储能电介质材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将取代苯乙烯单体、(甲基)丙烯酸烷基酯单体和乳化剂在溶剂中经过预乳化后通过引发剂进行聚合反应；

(2)对步骤(1)得到的反应液进行破乳后得到聚(取代苯乙烯-(甲基)丙烯酸烷基酯)类共聚物，即所述聚苯乙烯基储能电介质材料；

其中，所述取代苯乙烯单体选自吸电子基团取代苯乙烯和给电子基团取代苯乙烯中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述吸电子基团取代苯乙烯选自4-氟苯乙烯、4-氯苯乙烯、4-硝基苯乙烯、4-叔胺苯乙烯、4-三卤甲基苯乙烯、4-氰基苯乙烯、4-磺酸基苯乙烯、4-甲酰基苯乙烯、4-酰基苯乙烯和4-羧基苯乙烯中的至少一种，其中卤素为F或Cl；

优选地，所述给电子基团取代苯乙烯选自4-氨基苯乙烯、4-羟基苯乙烯、4-甲氧基苯乙烯、4-羧基甲基苯乙烯和4-苯基苯乙烯中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述溶剂为水。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述(甲基)丙烯酸烷基酯单体与取代苯乙烯单体的体积比为1～9：9～1，进一步优选为1：1；

优选地，所述(甲基)丙烯酸烷基酯单体与取代苯乙烯单体的体积和与溶剂的体积比为0.1～0.6：1；

优选地，所述乳化剂的质量为所述(甲基)丙烯酸烷基酯单体与取代苯乙烯单体质量和的3％～7％；

优选地，所述引发剂的质量为所述(甲基)丙烯酸烷基酯单体与取代苯乙烯单体总质量的0.5％～1.5％。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述预乳化在室温搅拌条件下进行约0.5～1h；

优选地，所述聚合反应的条件为60～80℃；

优选地，所述聚合反应的时间为1～24h。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述破乳为通过加热蒸发溶剂或加入不良溶剂直至析出聚合物产物；

优选地，所述不良溶剂氯化钠溶液，更优选为饱和氯化钠溶液。

7.权利要求1-6任一所述的制备方法得到的聚苯乙烯基储能电介质材料。

8.一种聚苯乙烯基储能电介质薄膜，其特征在于，所述聚苯乙烯基储能电介质薄膜由权利要求7所述的聚苯乙烯基储能电介质材料制备得到。

9.根据权利要求8所述的聚苯乙烯基储能电介质薄膜，其特征在于，所述聚苯乙烯基储能电介质薄膜由包含权利要求7所述的聚苯乙烯基储能电介质材料的溶液在基板上通过旋涂、热压或溶液流延法制备得到；

优选地，所述包含聚苯乙烯基储能电介质材料的溶液中的溶剂为N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)、四氢呋喃(THF)和环己酮中的一种或几种。

10.权利要求8-9任一所述的聚苯乙烯基储能电介质薄膜在制备薄膜电容器中的应用。