[发明专利]嵌入SU-8胶基底的用于CTCs捕获和分析的微流控芯片

权利要求书

1.一种嵌入SU-8胶基底的用于CTCs捕获和分析的微流控芯片，其特征在于，所述的微流控芯片的制成包括以下步骤：

步骤S1，倒金字塔凹坑阵列硅母膜的制备；

步骤S10，在二氧化硅(SiO₂)氧化膜的硅片上进行光刻，获得每列交错排列的正方形窗口；

步骤S11，利用氢氟酸将窗口内暴露在外的SiO₂膜去除；

步骤S12，图案被转移到SiO₂膜层；

步骤S13，氢氧化钾(KOH)溶液加入异丙醇(IPA)、去离子水，得到KOH各向异性刻蚀液；

步骤S14，置于磁力搅拌器内，将已经开好窗口的硅片放入刻蚀，得到倒金字塔凹坑硅母模；

步骤S2，二次倒模加压印制备金字塔微锥阵列SU-8胶基底；

制备步骤为：

取聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粉末，加入固化剂，搅拌溶解直到无明显粉末；

将步骤S1得到的硅母模沉入溶液底部，加热后进行固化；

固化后剥离得到PMMA模板；

取聚二甲基硅氧烷(PDMS)预聚物，加入固化剂搅拌，抽真空，无明显气泡后倒在PMMA模板上；

放入烘箱固化后剥离得到PDMS模板；

在PET薄膜上涂抹一层SU-8光刻胶；

用PDMS模板压印得到金字塔微锥阵列基底；

步骤S3，微纳加工制备SU-8胶基底表面粗糙纳米形貌；

将步骤S2制得的SU-8胶基底放入反应离子刻蚀机中，进行干法刻蚀；

步骤S4，电子束蒸镀金膜；

步骤S5，SU-8胶基底上修饰适体；

步骤S6，微流控芯片的制备。

2.如权利要求1所述的嵌入SU-8胶基底的用于CTCs捕获和分析的微流控芯片，其特征在于，所述的步骤S1中的具体参数为：在具有300nm厚的二氧化硅(SiO₂)氧化膜的硅片上进行光刻以获得边长为160um、间隔为30um且每列交错排列的正方形窗口。利用氢氟酸将窗口内暴露在外的SiO₂膜去除，图案被转移到SiO₂膜层。取6mol〃L^-1的氢氧化钾(KOH)溶液10.5ml，加入1ml异丙醇(IPA)、1ml去离子水，得到5mol〃L^-1的KOH各向异性刻蚀液。将恒温磁力搅拌器温度设置为65°，转速为300rpm〃min^-1，将已经开好窗口的硅片放入刻蚀150min，得到倒金字塔凹坑硅母模。

3.如权利要求1所述的嵌入SU-8胶基底的用于CTCs捕获和分析的微流控芯片，其特征在于，所述的步骤S2中的具体参数为：取2g聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粉末，加入1.6g固化剂，搅拌溶解直到无明显粉末；将步骤S1得到的硅母模沉入溶液底部，40°加热12h进行固化，固化后剥离得到PMMA模板；取3g聚二甲基硅氧烷(PDMS)预聚物，加入0.3g固化剂搅拌，抽真空15min，无明显气泡后倒在PMMA模板上，放入70°烘箱固化两小时剥离得到PDMS模板；在150umPET薄膜上涂抹一层SU-8(3035)光刻胶；用PDMS模板压印得到金字塔微锥阵列基底。

4.如权利要求1所述的嵌入SU-8胶基底的用于CTCs捕获和分析的微流控芯片，其特征在于，所述的步骤S3具体为，将刻蚀功率调至350W，打开O₂阀门，将进气气流量调至20sccm，刻蚀压强调至5Pa，刻蚀时间设置为15分钟，得到表面具有纳米形貌的SU-8基底。

5.如权利要求1所述的嵌入SU-8胶基底的用于CTCs捕获和分析的微流控芯片，其特征在于，所述的步骤S4中，所述的电子束蒸镀金膜的步骤为：将制备好的SU-8胶基底锥面朝上贴附于镀金圆盘上，将蒸金控制为的速率，用膜厚仪来控制基底上的蒸镀金层厚度为50nm左右。