[发明专利]一种氮化铝陶瓷材料的低温烧结工艺在审
申请号: | 202310414884.4 | 申请日: | 2023-04-18 |
公开(公告)号: | CN116425551A | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 曹树龙;黄炳峰;张霞 | 申请(专利权)人: | 合肥陶陶新材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/581 | 分类号: | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/64 |
代理公司: | 安徽智联惠一专利代理事务所(普通合伙) 34304 | 代理人: | 覃善丽 |
地址: | 231600 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 陶瓷材料 低温 烧结 工艺 | ||
本发明公开了一种氮化铝陶瓷材料的低温烧结工艺,属于陶瓷材料技术领域,包括以下步骤:步骤S1、将氮化铝粉体、纳米金刚石和烧结助剂进行混料,得到混合粉料;步骤S2、按照质量比1:1:5‑6将混合粉料、无水乙醇和球磨介质加入球磨机中,球磨分散均匀后,烘干、研磨并过筛,得到烧结粉料;步骤S3、将烧结粉料加入热压金属模具中压实,得到胚体;步骤S4、将坯体转入石墨模具中,在温度为1600‑1650℃、压力为25‑30MPa和氮气保护条件下,进行低温热压烧结2‑3h,得到氮化铝陶瓷材料;本发明将纳米金刚石与多元烧结助剂配合使用,能够降低烧结温度,得到致密度高、热导率高、断裂韧性强的氮化铝陶瓷材料。
技术领域
本发明属于陶瓷材料技术领域,具体涉及一种氮化铝陶瓷材料的低温烧结工艺。
背景技术
氮化铝陶瓷由于其优越的特性如高热导率、优异的电绝缘性和介电性、良好的弯曲强度和硬度、强抗腐蚀能力、与硅相匹配的热膨胀系数等,被认为是一种非常有发展前景的陶瓷材料,近年来更是已经得到了广泛的应用。氮化铝属于共价化合物,自扩散系数小,将其直接烧结致密化较为困难,氮化铝陶瓷的理论热导率高达320W/(m·K),但是实际生产的氮化铝陶瓷热导率与理论值相差甚远,因而目前制备氮化铝陶瓷通常需要添加烧结助剂促进烧结,即便添加烧结助剂制备氮化铝陶瓷,但烧结过程仍需要1800℃以上的高温才能得到致密度较高、导热系数良好的氮化铝陶瓷材料。
随着科学技术的发展,对所用材料的性能要求越来越高,在某些特定领域,对氮化铝陶瓷材料要求高热导率(热导率≥200W/(m·K))的同时还要求其具备较好的断裂韧性,因此,亟需开发出同时具备高热导率和高断裂韧性的氮化铝陶瓷材料,来满足特定领域的使用需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种氮化铝陶瓷材料的低温烧结工艺,以解决背景技术中的问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种氮化铝陶瓷材料的低温烧结工艺,包括以下步骤:
步骤S1、将氮化铝粉体、纳米金刚石和烧结助剂进行混料,得到混合粉料;
步骤S2、按照质量比1:1:5-6将混合粉料、无水乙醇和球磨介质加入球磨机中,球磨分散均匀后,烘干、研磨并过筛,得到烧结粉料;
步骤S3、将烧结粉料加入热压金属模具中压实,得到胚体;
步骤S4、将坯体转入石墨模具中,在温度为1600-1650℃、压力为25-30MPa和氮气保护条件下,进行低温热压烧结2-3h,得到氮化铝陶瓷材料。
进一步地,所述纳米金刚石的平均粒径为5-10nm;纳米金刚石用量为氮化铝粉体的3-4wt%。在氮化铝粉体中添加适量的纳米金刚石烧结后,能够提高氮化铝陶瓷材料的导热性;一方面,纳米金刚石与氮化铝都是块粒状三维结构材料,同属六方晶系,晶体结构相似,因此具有很好的相容性,不会破坏晶粒形态,纳米金刚石具有很好的导热性,能够提高氮化铝陶瓷材料的导热性;另一方面,纳米金刚石在烧结时能够释放具有强驱氧作用的无定形碳,与多元烧结助剂协同作用,不仅能高效地驱除氮化铝晶格内的氧原子,而且能够减少沉积的钇铝酸盐晶界相,削弱氧元素的缺陷效应,进一步提高氮化铝陶瓷材料的导热性。
进一步地,所述纳米金刚石在混料前为改善纳米金刚石的分散性,对纳米金刚石进行表面改性处理,包括先将纳米金刚石加入混合酸溶液中,在100℃下磁力搅拌1h,洗涤至中性后,在400-430℃的马弗炉中煅烧处理1h;通过酸化和煅烧处理后的纳米金刚石,具有更好的分散性,使纳米金刚石在球磨混料时均匀地分散在氮化铝粉体中,避免纳米金刚石团聚而对氮化铝陶瓷材料的力学性能带来负面影响。
进一步地,所述金刚石与混合酸溶液的用量比为1g:50mL,所述混合酸溶液为浓硝酸与浓硫酸按照体积比1:3混合制得。
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