[发明专利]一种暖白光LED用单基质荧光粉及其制备方法和应用

说明书

本发明属于荧光粉材料技术领域，具体公开一种暖白光LED用单基质荧光粉及其制备方法和应用，该单基质荧光粉的化学式为：Casubgt;2/subgt;Ysubgt;1‑x‑/subgt;subgt;y/subgt;TaOsubgt;6/subgt;:xTbsupgt;3+/supgt;,yEusupgt;3+/supgt;，其中，0.08≤x≤0.24，0.02≤y≤0.14；将所述暖白光LED用单基质荧光粉与紫外光固化胶充分均匀混合涂抹在InGaN365nm紫外芯片上，随后进行高温固化，制得暖白光LED。与现有技术相比，本发明制备的荧光粉具有良好的热稳定性，避免高温下热猝灭，可稳定用于制备LED；将Casubgt;2/subgt;Ysubgt;0.82/subgt;TaOsubgt;6/subgt;:0.16Tbsupgt;3+/supgt;,0.02Eusupgt;3+/supgt;荧光粉封装在InGaN365nm紫外芯片上，制得暖白光发射LED，该暖白光发射LED在3.3V的电压下发出强烈的暖白光，低色温CCT＝4626K，高显色指数Ra＝86，CIE色坐标为(0.3604，0.3856)，因此本发明的荧光粉在暖白光LED领域有良好的应用价值。

技术领域

本发明涉及荧光粉材料技术领域，特别是一种暖白光LED用单基质荧光粉及其制备方法和应用。

背景技术

白光LED作为第四代光源，由于具有发光强度高，能耗低，体积小，使用寿命长等优势，其中荧光粉转换白光二极管已广泛应用于固体照明和显示领域，成为当前学者研究的热点。具有特殊电子结构的稀土离子由于具有优异的发光性能，发光效率高，发光光谱窄，显色指数高，已广泛地应用于荧光粉的制备。为了获得白光，目前的商业方法是在蓝光InGaN芯片上涂抹高性能YAG:Ce³⁺黄光荧光粉，YAG:Ce³⁺荧光粉在蓝光芯片的激发下，发射出黄光，黄光与蓝光混合在一起形成白光，但是这种方法的器件显色指数较低，易产生蓝光泄露。另外一种方法是，使用紫外(UV)芯片，在上面涂抹蓝，绿，红三色荧光粉，实现三原色的混合，制备出白光，但这种方法由于不同颜色的荧光粉存在重吸收效应，粒径大小不匹配，造成发光效率下降。目前，研究人员希望通过共掺发光离子的方法，制备在紫外光激发下发射白光的单基质荧光粉，但是这种材料体系还较少。

中国专利申请号CN202211650272.7公开了一种单一基质暖白光荧光粉及其制备方法，化学式为Y_x-yTa_1-xO_2.5-x:yBi³⁺，其中0.6≤x≤0.9，0.001≤y≤0.1。该荧光粉可被紫外光有效激发，荧光粉发光强度高、化学性质稳定、发光颜色稳定，可与紫外LED芯片组装成白光LED器件，满足各类照明光源的需求。但是该荧光粉的色温较低。

中国专利申请号CN200310101629.7公开了一种可被紫外、紫光或蓝光LED有效激发而发红色光的荧光粉及其制造方法和所制成的电光源。该荧光粉的化学式为AaMOb:Eux，Ry，其中，A为Sc，Y，La，Gd，Yb，Lu，Li，Na，K，Rb，Cs，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Cd和Ag中的一种或几种；M为Cr、Mo、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf中的一种或几种；R为Ce，Pr，Nd，Sm，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Cu和Mn中的一种或几种；0.1≤a≤4，1＜b＜20，0.0001＜x＜0.5，0≤y＜0.5。制造方法为：将A、M、Eu、R的单质、化合物或相应的盐类及助熔剂，混磨均匀后，通过高温合成，经后处理制成。该荧光粉具有激发波长范围广、高效、均匀、无杂相、稳定等特点，制造方法简单、无污染、成本低。用该荧光粉配合紫外、紫光或蓝光LED可制成新型的电光源。但是该荧光粉被紫外、紫光或蓝光LED有效激发是发红色光的，并不适于暖白光LED。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种暖白光LED用单基质荧光粉及其制备方法和应用。

为达到上述目的，本发明是按照以下技术方案实施的：